[发明专利]反熔丝存储器及半导体存储装置

权利要求书

1.一种反熔丝存储器，其特征在于，包括：

存储器电容，所述存储器电容包括：阱；整流元件形成层，形成在所述阱的表面上，由绝缘部件形成；扩散区域，形成在所述阱的表面上，其中，在所述整流元件形成层和所述扩散区域之间的所述阱上，通过存储器栅绝缘膜设置有存储器栅极，在所述扩散区域连接有位线；

整流元件，设置在所述存储器栅极和字线之间，

所述整流元件由N型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管构成，一端的源区域与所述存储器栅极连接，且另一端的漏区域与所述字线连接，整流元件栅极与所述字线连接，通过使沟道处于非导通状态，由此阻断从所述存储器栅极向所述字线的电压施加，或者，

所述整流元件由P型MOS晶体管构成，一端的源区域与所述存储器栅极连接，且另一端的漏区域与所述字线连接，整流元件栅极与所述存储器栅极连接，通过使沟道处于非导通状态，由此阻断从所述存储器栅极向所述字线的电压施加，

所述整流元件栅极与所述存储器栅极形成在相同层上，且所述整流元件栅极和所述存储器栅极形成为相同的膜厚度。

2.根据权利要求1所述的反熔丝存储器，其特征在于，

多个所述存储器电容的各所述存储器栅极与一个所述整流元件连接。

3.根据权利要求2所述的反熔丝存储器，其特征在于，

在共用一个所述整流元件的各所述存储器电容中，分别设置有所述位线。

4.根据权利要求2所述的反熔丝存储器，其特征在于，

在共用一个所述整流元件的各所述存储器电容共用所述位线。

5.一种半导体存储装置，其特征在于，

在多个字线和多个位线的各交叉部位配置有反熔丝存储器，

所述反熔丝存储器为根据权利要求1至4中任一项所述的反熔丝存储器。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

包括一个所述反熔丝存储器和与所述反熔丝存储器成对的另一所述反熔丝存储器，

在对一个所述反熔丝存储器和另一所述反熔丝存储器写入相同数据时，在向一个所述反熔丝存储器写入数据后，再向另一所述反熔丝存储器写入数据。