[发明专利]反熔丝存储器及半导体存储装置

说明书

本发明提供一种反熔丝存储器及半导体存储装置，其中，反熔丝存储器(2b)中未使用如现有技术的控制电路，而设置有半导体接合结构的整流元件(3)，通过存储器栅极(G)和字线(WL1)的电压值，使从存储器栅极(G)向字线(WL1)施加电压成为反向偏置电压，通过该整流元件(3)能够阻断从存储器栅极(G)向字线(WL1)的电压施加，因此，不需要如现有技术的用来选择性地向存储器电容施加电压的开关晶体管，或用来使开关晶体管进行导通截止动作的开关控制电路，相应地能够实现小型化。

技术领域

本发明涉及反熔丝存储器及半导体存储装置。

背景技术

现有技术中，通过破坏绝缘膜来进行一次性数据写入的反熔丝存储器，人们知道的有具有美国专利第6,667,902号说明书(专利文献1)所示结构的反熔丝存储器。在该专利文献1中所示的反熔丝存储器由在阱上并列形成有开关晶体管和存储器电容的双晶体管构成。

实际上，由晶体管结构构成的开关晶体管中，在阱上通过开关栅极绝缘膜形成有开关栅极，在开关栅极上连接有字线，且在形成于阱表面的一个扩散区域连接有位线。另外，在与开关晶体管成对的存储器电容中，在阱上通过存储器栅极绝缘膜形成有存储器栅极，在该存储器栅极中连接有与开关栅极连接的字线不同的另外写入字线。

在进行数据写入动作时，存储器电容通过从写入位线向存储器栅极施加的破坏字电压和向开关晶体管的位线施加的绝缘破坏位电压之间的电压差来绝缘破坏存储器栅绝缘膜，与阱绝缘的存储器栅极通过存储器栅绝缘膜的绝缘破坏，可能会与阱表面、即存储器沟道被形成的区域相连接。

另外，在进行数据读取动作时，在向与想要读取的位线连接的写入字线施加电压时，如果在存储器栅绝缘膜破坏的情况下，施加在写入字线的电压通过存储器沟道施加在开关晶体管的另一扩散区域。另外，开关晶体管通过分别从与开关栅极连接的字线和与扩散区域连接的位线施加的电压处于导通状态，根据施加到位线的电压的变化能够判断成对的存储器电容中的存储器栅极和存储器沟道之间的电连接状态，能够判断有没有数据的写入。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第6,667,902号说明书

发明内容

发明要解决的课题

但是，由该结构构成的现有的反熔丝存储器中，与存储器电容不同地单独设置开关晶体管，因此与用于向该存储器电容施加破坏字电压的控制电路不同地还需要用于使开关晶体管导通截止的开关控制电路，相应的份就存在难以实现小型化的问题。

因此，本发明是考虑了上述问题点而做出的发明，其目的在于，提供一种与现有技术相比能够实现小型化的反熔丝存储器及半导体存储装置。

要解决课题的技术手段

为了解决所述课题，本发明的反熔丝存储器的特征在于，包括：存储器电容，其中，通过存储器栅绝缘膜设置有存储器栅极，在形成于阱上的一个扩散区域连接有位线；整流元件，设置在所述存储器栅极和字线之间，从所述字线向所述存储器栅极施加电压，另一方面，通过向所述存储器栅极和所述字线施加的电压值，阻断从所述存储器栅极向所述字线的电压施加。

另外，本发明的半导体存储装置，其特征在于，在多个字线和多个位线的各交叉部位配置有反熔丝存储器，所述反熔丝存储器为上述的反熔丝存储器。

发明的效果

根据本发明，不需要使用如现有技术中的控制电路，通过向存储器电容的存储器栅极和字线施加的电压值，通过整流元件能够阻断从存储器栅极向字线的电压施加，因此，不需要如现有技术的用来选择性地向存储器电容施加电压的开关晶体管，并用来使开关晶体管进行导通截止动作的开关控制电路，相应地能够实现小型化。

附图的简要说明