[发明专利]电致发光装置及制造方法有效
申请号: | 201580056004.4 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN107079544B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 园田通;平瀬刚;冈本哲也;妹尾亨;藤原圣士;西川大地;石田守 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;杨艺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种电致发光装置,其具有基板和设置在所述基板上的电致发光元件,该电致发光装置的特征在于:
具有密封所述电致发光元件的密封膜,
所述密封膜由有机层和无机层的层叠结构构成,并且,
所述密封膜中,所述有机层的至少周缘部的含碳率比该有机层的中央部的含碳率低,
所述有机层中,在所述周缘部,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的第一低含碳区域从所述有机层的端面起以规定的宽度尺寸构成为框状,并且,
所述有机层中,在所述中央部与所述第一低含碳区域之间,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的第二低含碳区域以规定的宽度尺寸构成为框状。
2.如权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于:
所述密封膜中,所述有机层的端面露出到外部。
3.如权利要求1或2所述的电致发光装置,其特征在于:
所述有机层中,在所述周缘部,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的低含碳区域从所述有机层的端面起以规定的宽度尺寸构成为框状。
4.如权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于:
所述有机层中,所述第二低含碳区域的宽度尺寸小于所述第一低含碳区域的宽度尺寸。
5.如权利要求1或2所述的电致发光装置,其特征在于:
以傅里叶分光型红外分光光度计(FT-IR)的C-H键量比计,所述有机层的所述至少周缘部的含碳率为所述有机层的所述中央部的含碳率的85%以下。
6.一种电致发光装置,其具有基板和设置在所述基板上的电致发光元件,该电致发光装置的特征在于:
具有密封所述电致发光元件的密封膜,
所述密封膜由有机层和无机层的层叠结构构成,并且,
所述密封膜中,所述有机层的至少周缘部的含碳率比该有机层的中央部的含碳率低,
所述密封膜中,通过对至少周缘部照射激光,降低了所述有机层的所述至少周缘部的含碳率,
所述激光是红外激光。
7.一种电致发光装置,其具有基板和设置在所述基板上的电致发光元件,该电致发光装置的特征在于:
具有密封所述电致发光元件的密封膜,
所述密封膜由有机层和无机层的层叠结构构成,并且,
所述密封膜中,所述有机层的至少周缘部的含碳率比该有机层的中央部的含碳率低,
所述密封膜中,通过对至少周缘部照射激光,降低了所述有机层的所述至少周缘部的含碳率,
在所述密封膜的所述至少周缘部的至少一部分设置有光热转换层。
8.如权利要求1或2所述的电致发光装置,其特征在于,包括:
与所述基板相对的对置基板;和
框状的密封件,其设置于所述基板与所述对置基板之间,并且与该基板和对置基板一起封入所述电致发光元件。
9.一种电致发光装置的制造方法,该电致发光装置具有基板和设置在所述基板上的电致发光元件,该制造方法的特征在于,包括:
密封膜形成工序,使用CVD法或溅射法,设置有机层和无机层中的各个层,并且由该有机层和无机层的层叠结构形成密封所述电致发光元件的密封膜;和
激光照射工序,通过对所述密封膜的至少周缘部照射激光,使所述有机层的至少周缘部的含碳率比该有机层的中央部的含碳率低。
10.如权利要求9所述的电致发光装置的制造方法,其特征在于:
在所述激光照射工序之前,进行在所述密封膜的所述至少周缘部的至少一部分形成光热转换层的光热转换层形成工序。
11.如权利要求9或10所述的电致发光装置的制造方法,其特征在于:
在所述密封膜形成工序中,使用相同大小的掩模,形成所述密封膜包含的所述有机层和所述无机层。
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