[发明专利]基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚

权利要求书

1.一种SiC单晶的制造装置，其用于基于溶液生长法来制造SiC单晶，其中，

该制造装置具备：

坩埚，其能够容纳Si－C溶液，包括具有第1外周面和内周面的筒部以及配置于所述筒部的下端且形成内底面的底部；

晶种轴，能够在该晶种轴的下端安装晶种；以及

感应加热装置，其配置于所述坩埚的所述筒部的周围，用于对所述坩埚和所述Si－C溶液进行加热，

所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述第1槽沿所述筒部的轴线方向延伸。

3.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述第1槽的下端配置于比所述Si－C溶液的液面靠下方的位置。

4.根据权利要求3所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述第1槽在侧视时至少自所述坩埚的所述内底面延伸到所述Si－C溶液的液面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的SiC单晶的制造装置，其中，

所述底部包括：

第2外周面，其与所述第1外周面相连；以及

外底面，其配置于所述第2外周面的下端，

所述内底面具有凹形状，

所述第2外周面具有第2槽，该第2槽与所述筒部的周向交叉地延伸并随着朝向所述外底面去而变深。

6.一种坩埚，其应用于基于溶液生长法来制造SiC单晶的制造装置，能够收纳Si－C溶液，其中，

该坩埚包括：

筒部，其具有第1外周面和内周面；以及

底部，其配置于所述筒部的下端且形成内底面，

所述筒部在所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽。

7.根据权利要求6所述的坩埚，其中，

所述第1槽沿所述筒部的轴线方向延伸。

8.根据权利要求6所述的坩埚，其中，

所述第1槽的下端配置于比所述Si－C溶液的液面靠下方的位置。

9.根据权利要求8所述的坩埚，其中，

所述第1槽在侧视时至少自所述坩埚的所述内底面延伸到所述Si－C溶液的液面。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的坩埚，其中，

所述底部包括：

第2外周面，其与所述第1外周面相连；以及

外底面，其配置于所述第2外周面的下端，

所述内底面为凹形状，

所述第2外周面具有第2槽，该第2槽与所述筒部的周向交叉地延伸并随着朝向所述外底面去而变深。

11.一种SiC单晶的制造方法，其为基于溶液生长法来制造SiC单晶的制造方法，其中，

该制造方法包括以下工序：

准备工序，在该准备工序中，准备SiC单晶的制造装置，该制造装置具备坩埚、晶种轴以及感应加热装置，在该坩埚内容纳有Si－C溶液的原料，该坩埚包括具有第1外周面和内周面的筒部以及配置于所述筒部的下端且形成内底面的底部，在该晶种轴的下端安装有晶种，该感应加热装置配置于所述坩埚的所述筒部的周围，该感应加热装置用于对所述坩埚和所述Si－C溶液进行加热，所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽；

生成工序，在该生成工序中，加热所述坩埚内的所述原料而使其熔融，从而生成所述Si－C溶液；以及

生长工序，在该生长工序中，使所述晶种与所述Si－C溶液相接触，一边利用所述感应加热装置来加热和搅拌所述Si－C溶液，一边使所述SiC单晶在所述晶种上生长。