[发明专利]高密度扇出封装结构

权利要求书

1.一种扇出封装结构，包括：

触点层，其包括导电互连层，所述导电互连层包括多个导电部分，所述多个导电部分中的每一个导电部分具有面向有源管芯的第一表面、面向重分布层的第二表面、以及至少一个侧壁；

所述导电互连层包括在所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分的所述至少一个侧壁和所述第一表面上的第一阻挡内衬，所述第一阻挡内衬直接接触所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分，并且所述第一阻挡内衬具有与所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分的所述第二表面齐平的表面；

所述重分布层包括配置成将第一导电互连耦合至所述导电互连层的多个导电路由层，所述多个导电路由层中的第一导电路由层包括多个导电部，每个导电部具有面向所述有源管芯的第三表面以及所述导电部的所述第三表面上的第二阻挡内衬，所述多个导电部中的每个导电部的所述第三表面上的所述第二阻挡内衬与所述触点层直接接触；以及

耦合至所述第一阻挡内衬的第一通孔，所述第一通孔被配置成通过第二导电互连将所述第一阻挡内衬耦合至所述有源管芯。

2.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述第一导电互连是球栅阵列(BGA)。

3.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述第一和第二阻挡内衬包括钽。

4.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述第一通孔包括在所述第一阻挡内衬上的凸块下导电层和在所述凸块下导电层上且耦合至所述第二导电互连的导电材料。

5.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述导电互连层包括第一后端制程(BEOL)导电互连层(M1)。

6.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述第二导电互连包括导电柱或导电凸块。

7.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述第二导电互连耦合至所述有源管芯的触点焊盘。

8.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述导电互连层的所述多个导电部分中的至少一个导电部分通过第二通孔耦合至所述重分布层的所述多个导电路由层中的一个导电路由层或通过所述导电路由层上的导电迹线耦合至所述导电路由层。

9.如权利要求8所述的扇出封装结构，其中所述第一通孔包括中部制程零通孔(V0)且所述第二通孔包括后端制程(BEOL)第一通孔(V1)。

10.如权利要求1所述的扇出封装结构，其中所述扇出封装结构被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。

11.一种用于扇出封装结构的方法，包括：

在载体基板上制造触点层，所述触点层包括导电互连层，所述导电互连层包括多个导电部分，所述多个导电部分中的每一个导电部分具有在所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分的至少一个侧壁和第一表面上的第一阻挡内衬，所述第一阻挡内衬直接接触所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分；

制造重分布层(RDL)，所述重分布层包括多个导电路由层，所述多个导电路由层被配置成将第一导电互连耦合至所述导电互连层，所述多个导电路由层中的第一导电路由层包括多个导电部，每个导电部具有面向有源管芯的第三表面以及所述导电部的所述第三表面上的第二阻挡内衬，所述多个导电部中的每个导电部的所述第三表面上的所述第二阻挡内衬与所述触点层直接接触；

在移除所述载体基板之后在所述触点层中的开口内沉积导电材料以形成布置在所述第一阻挡内衬上的第一通孔；以及随后

使用第二导电互连来将有源管芯附连至所述第一通孔，其中在所述导电互连层的所述第一表面上的所述第一阻挡内衬面向所述有源管芯，并且所述第一阻挡内衬具有与所述导电互连层的所述多个导电部分中的每一个导电部分的第二表面齐平的表面，其中所述第二表面面向所述重分布层。