[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置

权利要求书

1.一种单位移位寄存器电路，是构成移位寄存器电路的各级的单位移位寄存器电路，其特征在于，包括：

第1晶体管，该第1晶体管具有第1栅极端子、第1源极端子及第1漏极端子，向所述第1漏极端子输入规定的时钟信号，从所述第1源极端子输出输出信号；

第2晶体管，该第2晶体管具有第2栅极端子、第2源极端子及第2漏极端子，作为所述第2源极端子与所述第1晶体管的所述第1栅极端子相连接的晶体管，向所述第2漏极端子输入第1输入信号，向所述第2栅极端子输入第2输入信号；以及

第3晶体管，该第3晶体管具有第3栅极端子、第3源极端子及第3漏极端子，作为所述第3源极端子与所述第1晶体管的所述第1栅极端子相连接的晶体管，向所述第3漏极端子输入第3输入信号，向所述第3栅极端子输入第4输入信号，

正方向的移位动作中，在对所述第1晶体管的所述第1栅极端子进行充电时，向所述第2栅极端子输入电压变得比所述第1输入信号的电压高的所述第2输入信号，在使所述第1晶体管的所述第1栅极端子放电时，向所述第3栅极端子输入电压变得比所述第3输入信号的电压高的所述第4输入信号，

反方向的移位动作中，在对所述第1晶体管的所述第1栅极端子进行充电时，向所述第3栅极端子输入电压变得比所述第3输入信号的电压高的所述第4输入信号，在使所述第1晶体管的所述第1栅极端子放电时，向所述第2栅极端子输入电压变得比所述第1输入信号的电压高的所述第2输入信号。

2.如权利要求1所述的单位移位寄存器电路，其特征在于，

所述第1输入信号是所述单位移位寄存器电路的前一级的单位移位寄存器电路的输出信号，

所述第2输入信号是所述单位移位寄存器电路的再前级的单位移位寄存器电路的第1晶体管的所述第1栅极端子的信号，

所述第3输入信号是所述单位移位寄存器电路的后一级的单位移位寄存器电路的输出信号，

所述第4输入信号是所述单位移位寄存器电路的再后级的单位移位寄存器电路的第1晶体管的所述第1栅极端子的信号。

3.如权利要求1所述的单位移位寄存器电路，其特征在于，

所述第1输入信号在正方向的移位动作中，所述时钟信号是指周期向后偏移四分之一周期的时钟信号，在反方向的移位动作中，所述时钟信号是指周期向前偏移四分之一周期的时钟信号，

所述第2输入信号是所述单位移位寄存器电路的再前级的单位移位寄存器电路的第1晶体管的所述第1栅极端子的信号，

所述第3输入信号在正方向的移位动作中，所述时钟信号是指周期向前偏移四分之一周期的时钟信号，在反方向的移位动作中，所述时钟信号是指周期向后偏移四分之一周期的时钟信号，

所述第4输入信号是所述单位移位寄存器电路的再后级的单位移位寄存器电路的第1晶体管的所述第1栅极端子的信号。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的单位移位寄存器电路，其特征在于，

正方向的移位动作中，

在所述第2晶体管对所述第1晶体管的所述第1栅极端子充电时，所述第1输入信号及所述第2输入信号上升，对所述第1栅极端子充电后，在所述第1输入信号的电压下降之前所述第2输入信号的电压下降，

反方向的移位动作中，

在所述第3晶体管对所述第1晶体管的所述第1栅极端子充电时，所述第3输入信号及所述第4输入信号上升，对所述第1栅极端子充电后，在所述第3输入信号的电压下降之前所述第4输入信号的电压下降。

5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的单位移位寄存器电路，其特征在于，

所述第1晶体管通过自举动作使所述输出信号进行升压，该自举动作利用对所述第1源极端子和所述第1栅极端子之间的寄生电容进行充电后的电压使所述第1栅极端子的电压升压。