[发明专利]单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置

说明书

正方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，反方向的移位动作中，在对晶体管(T1)的第1栅极端子充电时，向晶体管(T3)的第3栅极端子输入电压比第3输入信号(R)的电压高的第4输入信号(VR)，在使晶体管(T1)的第1栅极端子放电时，向晶体管(T2)的第2栅极端子输入电压比第1输入信号(S)的电压高的第2输入信号(VS)。

技术领域

本发明涉及单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置。

本申请根据2014年10月28日在日本申请的特愿2014－219622号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

近年，移动电话等移动设备的显示器的高清晰化及窄边框化迅速发展，许多分辨率超过400ppi(pixel per inch：每英寸像素)的设备被商品化。作为实现这些产品的关键技术，采用在玻璃基板上形成驱动电路的所谓单片电路技术。另外，作为这些背板(电路基板)，开始使用基于采用了氧化铟镓锌(In－Ga－Zn－O类半导体；包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)的氧化物半导体)等氧化物半导体的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)的电路。

众所周知，利用所述的单片电路技术形成的驱动电路存在TFT的阈值电压随着时间经过和温度而变化的情况。特别是在扫描线驱动电路所采用的移位寄存器电路中，存在如下问题。

移位寄存器电路利用自举将驱动扫描线的输出用TFT的栅极升压至高电压并进行动作。为了对输出用TFT的栅极电极预充电且不会在增益时漏电，而将二极管连接的TFT用作置位用TFT。采用二极管连接的置位用TFT时，输出用TFT的预充电电压达到下降了TFT的阈值电压量的值。

采用了氧化铟镓锌等氧化物半导体的TFT具有通过对栅极电极施加的电压应力而使阈值电压变动的特性，因此，随着时间经过特性逐渐劣化，由二极管连接构成的置位用TFT所形成的输出用TFT的栅极电极的预充电电压相应地降低。预充电电压逐渐降低，则通过自举升压的电压也降低，输出用TFT的驱动力降低，输出波形存在失真的情况，若进一步劣化，则输出电压降低，移位寄存器动作变得不稳定。

另外，扫描线驱动电路需要具有能够在正方向和反方向之间切换并在双向进行移位动作的双向扫描功能的移位寄存器。例如，这是因为，扫描线驱动电路通过在反方向进行移位动作，容易使显示于显示部的图像的上下反转。

专利文献1中记载了这样能够进行双向移位动作的移位寄存器电路的一例。专利文献1的图2记载的移位寄存器电路的各级(以下，包含本发明的实施方式，称为“单位移位寄存器电路”)具备输出用TFT(T1)、置位用TFT(T2)、复位用TFT(T3)、置位用TFT(T4)、复位用TFT(T5)。T2的漏极端子和源极端子采用二极管连接，与前一级的输出连接，源极端子与T1的栅极端子连接。T3的漏极端子与T1的栅极端子连接，栅极端子与后级的输出连接，源极端子与VSS(电源电压VSS)端子连接。T4的漏极端子和源极端子二极管连接，与后级的输出连接，源极端子与T1的栅极端子连接。T5的漏极端子与T1的栅极端子连接，栅极端子与前一级的输出连接，源极端子与VSS端子连接。具有这样的结构的单位移位寄存器电路作为移位寄存器电路，在正方向(从前级向后级的方向)的移位动作中，T2进行对T1的栅极端子预充电(充电)的置位动作，T3进行对T1的栅极端子下拉(放电)的复位动作。另一方面，在反方向(从后级向前级的方向)的移位动作中，T4进行对T1的栅极端子预充电的置位动作，T5进行对T1的栅极端子下拉的复位动作。专利文献1记载的单位移位寄存器电路中，通过利用这样的构成，不采用扫描顺序切换用的选择信号就能够进行栅极总线的扫描顺序的切换。

现有技术文献

专利文献