[发明专利]制造图案化基底的方法

权利要求书

1.一种制造图案化基底的方法，包括：

形成包含嵌段共聚物的聚合物膜，在所述嵌段共聚物中自组装结构定向于经氧等离子体处理的基底的表面上，

其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段，

其中所述第一嵌段包含环结构，并且在所述环结构中取代有侧链，所述环结构不包含卤原子，

其中所述第二嵌段包含环结构，并且在所述环结构中取代有卤原子，

其中所述自组装结构包含垂直取向的嵌段共聚物而在所述基底的所述表面上不形成中性刷涂层，

其中所述嵌段共聚物的所述第一嵌段包含具有由式1表示的单元的嵌段：

[式1]

在式1中，R是氢或烷基，X是单键、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁是氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，并且Y由式2表示：

[式2]

-P-Q-Z

在式2中，P是亚芳基或亚环烷基，Q是单键、氧原子或-NR₃-，其中R₃是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基，当P是亚芳基时，Z是具有三个或更多个成链原子的链，或者当P是亚环烷基时，Z是具有8个或更多个成链原子的链，

其中所述第一嵌段的体积分数为0.2至0.6，并且所述第二嵌段的体积分数为0.4至0.8。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底是金属基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含选自以下的一种或更多种金属：金、铜、钛、镍、银、铝、锗、钨、锡、锑、铟、镉、钯、铅和铂，或者所述一种或更多种金属的氧化物、氮化物或硫化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧等离子体以30W至2000W的RF功率、5毫托至300毫托的工艺压力和20sccm至100sccm的氧流量施用。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物膜形成为与所述经氧等离子体处理的基底的所述表面接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述自组装结构是层状结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一嵌段示出了在GIWAXS光谱的12nm^-1至16nm^-1的散射矢量的衍射图案的-90度至-70度方位角处和70度至90度方位角处的峰。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一嵌段通过差示扫描量热法分析示出了-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一嵌段通过XRD分析示出了在0.5nm^-1至10nm^-1的散射矢量范围内半峰全宽为0.2nm^-1至0.9nm^-1的峰。

10.根据权利要求1所述的方法，所述侧链的成链原子数目和通过在所述第一嵌段上进行的XRD分析获得的散射矢量满足方程式2：

[方程式2]

3nm^-1至5nm^-1＝nq/(2×π)

在方程式2中，n为所述侧链的成链原子数目，q是其中通过在包含所述侧链的嵌段上进行的XRD分析显示出峰的最小散射矢量，或显示出具有最大峰面积的峰的散射矢量。

11.根据权利要求1所述的方法，所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小。