[发明专利]制造图案化基底的方法

说明书

提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于装置如电子器件或集成电路的制造过程，或者应用于另一些用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管；并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。

技术领域

本申请要求2014年9月30日提交的韩国专利申请第2014-0131964号、2015年6月4日提交的韩国专利申请第2015-0079469号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175411号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175414号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175410号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175415号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175412号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175413号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175407号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175406号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175400号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175401号和2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175402号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本申请涉及制造图案化基底的方法。

背景技术

嵌段共聚物具有这样的分子结构：其中具有不同化学结构的聚合物嵌段通过共价键连接。嵌段共聚物可通过相分离形成周期性排列的结构，例如球体、柱体或层。通过嵌段共聚物的自组装形成的结构的域的形状和尺寸可以通过例如形成各嵌段的单体类型或嵌段的相对比在较宽范围内进行控制。

由于这样的特性，嵌段共聚物被认为适用于能够制造纳米线，制造多种下一代纳米元件如量子点或金属点，或在预定的基底上形成高密度图案的光刻工艺(例如，参考非专利文献1)。

其中将嵌段共聚物水平或垂直地自组装在多种基底上的结构的取向控制技术是嵌段共聚物的实际应用的很大一部分。通常，嵌段共聚物的膜上的纳米结构的取向通过哪个嵌段暴露于表面或空气来确定。通常，由于许多基底是极性的并且空气是非极性的，在嵌段共聚物的嵌段中，具有较高极性的嵌段在基底上润湿，并且具有较低极性的嵌段在嵌段和空气之间的交界面润湿。因此，为了使具有不同特性的嵌段共聚物的嵌段在基底上同时湿润，提出了多种技术，最典型的技术是通过制造中性表面来控制取向。

[现有技术文献]

[非专利文献]

(非专利文献1)Chaikin and Register等，Science 276,1401(1997)

发明内容

技术目的

本申请涉及提供制造图案化基底的方法。

技术方案

除非另外特别限定，否则本文中使用的术语“烷基”可指具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的烷基。烷基可为直链、支化或环状烷基，并且可任选地被一个或更多个取代基取代。

除非另外特别限定，否则本文中使用的术语“烷氧基”可指具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的烷氧基。烷氧基可以是直链的、支化的或环状烷氧基，并且可任选地经一个或更多个取代基取代。

除非另外特别限定，否则本文中使用的术语“烯基”或“炔基”可指具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的烯基或炔基。烯基或炔基可为直链、支化或环状烯基或炔基，并且可任选地被一个或更多个取代基取代。