[发明专利]导出纳米孔阵列的测量结果的方法以及测序芯片

权利要求书

1.一种导出包括细胞阵列的基于纳米孔的测序芯片上的纳米孔传感器的测量结果的方法，其中细胞包括纳米孔传感器，所述方法包括：

测量与所述纳米孔传感器相关联的电特性；

处理与所述纳米孔传感器相关联的电特性；

确定所述电特性和一个或多个先前电特性的至少一部分对应于所述纳米孔传感器处的碱基调用事件；以及

确定表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分的概要；以及

导出用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要，

其中所述概要是所述电特性的数据的压缩，并且比所述电特性的测量结果更紧凑，

其中，确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括：

表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分，使得被映射到阈值水平的连续电特性是由单个量值和连续电特性的计数来表示的，以及

表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分，使得用单个量值和所述连续电特性的持续时间来表示被映射到阈值水平的连续电特性。

2.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述概要还包括：

确定所述一个或多个先前的电特性的其余部分对应于所述纳米孔传感器处的开放通道状态事件。

3.如权利要求2所述的方法，其中，确定所述一个或多个先前的电特性的其余部分对应于所述纳米孔传感器处的开放通道状态事件是至少部分地基于所述一个或多个先前的电特性的其余部分具有在阈值水平以上的量值。

4.如权利要求1所述的方法，其中，确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括：

用量值参数和时间参数来表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分，其中，所述时间参数对应于所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分的持续时间。

5.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述概要包括：

从所述电特性和所述一个或多个先前的电特性提取使得能够检测碱基调用事件的信息。

6.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述概要包括：

关于所述电特性和所述一个或多个先前的电特性执行碱基调用。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述电特性包括以下各项中的一个：与所述纳米孔传感器或所述纳米孔传感器的各部分相关联的电流、电压、电阻以及电容。

8.如权利要求1所述的方法，其中，处理与所述纳米孔传感器相关联的所述电特性包括：

补偿所述电特性的量值随时间推移的漂移，使得可以使用有区别的量值水平作为用于识别所述纳米孔传感器处的不同碱基调用事件的特征水平。

9.一种基于纳米孔的测序芯片，包括：

细胞阵列，其中，细胞包括纳米孔传感器；

电路，其被配置成：

测量与所述纳米孔传感器相关联的电特性；

处理与所述纳米孔传感器相关联的电特性；

确定所述电特性和一个或多个先前电特性的至少一部分对应于所述纳米孔传感器处的碱基调用事件；以及

确定表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分的概要；以及

导出用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要，

其中所述概要是所述电特性的压缩，并且比所述电特性的测量结果更紧凑,

其中，确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括：

表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分，使得被映射到阈值水平的连续电特性是由单个量值和连续电特性的计数来表示的，以及

表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分，使得用单个量值和所述连续电特性的持续时间来表示被映射到阈值水平的连续电特性。