[发明专利]分析及利用景观有效
申请号: | 201580060081.7 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN107078074B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | T·马西安诺;B·布尔戈尔茨;E·古列维奇;I·阿达姆;Z·林登费尔德;Z·赵;Y·弗莱;D·坎戴尔;N·卡梅尔;A·玛纳森;N·阿米尔;O·卡米斯开;T·耶其夫;O·萨哈兰;M·库柏;R·苏里马斯基;T·里维安特;N·夕拉;B·埃弗拉蒂;L·撒尔通;A·汉德曼;E·亚希渥;O·巴沙尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分析 利用 景观 | ||
1.一种光学计量方法,其包括:
通过模拟或以预备测量,导出至少一个计量度量对至少一个配方参数的至少部分连续相依性;
分析所述导出的相依性;
根据所述分析来确定计量配方;及,
根据所述确定的配方,进行至少一个计量测量;
其中所述至少一个计量测量包括光栅覆光栅散射测量目标的叠加计量测量或并排散射测量目标的叠加计量测量,且所述至少一个配方参数与所述光栅之间的光学路径差有关,且包括以下各项中的至少一者:所述光栅之间的中间层的厚度、测量波长、入射角、反射角、入射光及反射光的偏光性质、目标几何结构参数,或所述光栅的电磁特性和所述光栅之间的所述中间层的电磁特性。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述分析包括识别所述至少部分连续相依性中的至少一个极值。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括通过使所述至少部分连续相依性的导数为零而以分析方式确定所述计量配方。
4.根据权利要求1所述的方法,其中实时实施所述导出。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个叠加计量测量是对成像目标,且所述至少一个配方参数与目标结构之间的光学路径差有关,且包括以下各项中的至少一者:所述目标结构之间的中间层的厚度、测量波长、入射角、反射角、入射光及反射光的偏光性质、目标几何结构参数、所述目标结构及所述目标结构之间的中间层的电磁特性,以及测量工具焦点。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括通过模拟或测量不对称工艺变化及对称工艺变化对所述导出的相依性的效应来区分所述不对称工艺变化与所述对称工艺变化。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括使用叠加变化测量作为所述至少一个计量度量。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括根据应用到在所述至少一个计量测量中测量的多个光瞳像素的至少一个权重函数来计算所述至少一个计量度量以实现低不准确度,其中所述至少一个权重函数是相对于所述至少部分连续相依性来确定。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述至少一个叠加计量测量是对光栅覆光栅散射测量目标或并排散射测量目标,且所述至少一个权重函数是相对于预期信号方向性与给定照明方向性之间的关系来进一步确定。
10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括根据所述至少部分连续相依性来识别目标结构之间的中间膜堆叠中的谐振。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括通过比较所述至少一个计量度量的估计与测量数据来估计每像素信号污染。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少部分连续相依性是所述至少一个计量度量相对于所述至少一个配方参数的敏感度景观。
13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括识别所述敏感度景观中的零敏感度的点或轮廓,及在围绕零敏感度的所述点或轮廓的区域处相对于一组参数进行所述至少一个计量测量。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括使用单次或多次散射模型以识别所述景观中的零敏感度的所述点或轮廓。
15.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括分级来自由所述组参数所跨越的子空间的部分的信号。
16.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括根据所述景观中的零敏感度的经识别的点或轮廓来分级来自光瞳的部分的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造