[发明专利]具有增强的二氧化硅屏蔽涂层的PET容器的制造方法

权利要求书

1.一种用于向PET容器施加氧化硅屏蔽涂层的方法，其中所述PET容器包含具有内表面和外表面的壁，所述方法包括下述步骤：

a.将所述PET容器加热到整个所述壁达到225℉至383℉的温度；

b.在所述PET容器的整个所述壁处于225℉至383℉的温度时，通过在所述PET容器的至少所述内表面上施加至少一层氧化硅屏蔽层，形成涂层的PET容器；以及

c.在步骤b后冷却所述涂层的PET容器，其中步骤a包括使用加热通道，所述PET容器移动穿过所述加热通道，并且其中所述加热通道包含沿着所述容器的竖直轴设置的2至6个不同温度的加热区。

2.权利要求1的方法，其中步骤a包括将所述PET容器加热到整个所述壁达到250℉至383℉的温度。

3.权利要求1的方法，其中步骤b包括：

i.在其中放置有至少一个PET容器的仓室中形成真空；

ii.向所述PET容器的壁的至少所述内表面添加形成氧化硅的单体反应气体；以及

iii.将所述PET容器暴露于等离子体能量，以在所述PET容器的壁的至少所述内表面上沉积至少一层氧化硅。

4.权利要求1的方法，其中所述加热通道包含旋转元件以使所述容器旋转，以便确保周边均匀的热暴露。

5.一种涂层的PET容器，其中所述PET容器包含具有内表面和外表面的壁，并通过包含下述步骤的方法来制造：

a.将所述PET容器加热到整个所述壁达到225℉至383℉的温度；

b.在所述PET容器的整个所述壁处于225℉至383℉的温度时，通过在所述PET容器的至少所述内表面上施加至少一层氧化硅屏蔽层，形成所述涂层的PET容器；以及

c.在步骤b后冷却所述涂层的PET容器，

其中步骤a包括使用加热通道，所述PET容器移动穿过所述加热通道，并且其中所述加热通道包含沿着所述容器的竖直轴设置的2至6个不同温度的加热区，其中在所述涂层的PET容器暴露于热灭菌过程后，所述PET容器保留至少125％的屏蔽改善因子，所述屏蔽改善因子是通过用不含氧屏蔽层的对照瓶的氧渗透除以试验瓶的氧渗透来计算的，其中所述对照瓶在与所述试验瓶相同的时间，在一致的条件下进行测量。

6.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述热灭菌过程的温度为212℉至356℉。

7.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述热灭菌过程的温度为235℉。

8.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述PET具有0.72dL/g至0.86dL/g的特性粘度。

9.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述壁的密度在1.370g/cc至1.385g/cc之间、热诱导的结晶度为18％至25％并且应变诱导的结晶度为55％至75％。

10.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述热灭菌过程是巴氏消毒过程。

11.权利要求5的涂层的PET容器，其中所述热灭菌过程是釜式灭菌过程。

12.权利要求5的涂层的PET容器，其中在所述涂层的PET容器暴露于热灭菌过程后，保留125％的屏蔽改善因子。

13.权利要求5的涂层的PET容器，其中在所述涂层的PET容器暴露于热灭菌过程后，保留160％的屏蔽改善因子。