[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，在表面形成有沟槽；

栅极绝缘膜，覆盖所述沟槽的内表面；及

栅极电极，配置在所述沟槽的内部，

所述半导体基板具备：

第一导电型的第一区域，与覆盖所述沟槽的两侧面的所述栅极绝缘膜相接；

第二导电型的第二区域，形成在所述第一区域的下方，且与覆盖所述沟槽的两侧面的所述栅极绝缘膜相接；及

第一导电型的第三区域，形成在所述第二区域的下方，且与覆盖所述沟槽的两侧面和底面的所述栅极绝缘膜相接，

所述沟槽的底面以在短边方向上中心部比周缘部向上突出的方式形成，

覆盖所述周缘部的所述栅极绝缘膜的厚度比覆盖所述中心部的所述栅极绝缘膜的厚度厚，

所述沟槽的底面具备从所述中心部向所述沟槽的一个侧面延伸的第一斜面和从所述中心部向所述沟槽的另一个侧面延伸的第二斜面，

所述第一斜面与所述第二斜面所成的角度为90°以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二区域具备在从所述栅极绝缘膜分离的位置向所述第三区域侧突出的突出区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述沟槽的底面形成在比所述突出区域的下端浅的位置。