[发明专利]用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备有效
申请号: | 201580061614.3 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN107004436B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | U·阿斯兰;C·德雷 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C7/14 | 分类号: | G11C7/14;G11C13/00;G11C29/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高见 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提升 电压 减少 电阻 存储器 中的 泄漏 设备 | ||
1.一种用于减少泄漏的设备,所述设备包括:
泄漏跟踪器,所述泄漏跟踪器用于跟踪电阻式存储器单元列的泄漏电流;以及
电路,所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器,用于调整所述电阻式存储器单元列的源线SL上的电压,
其中,所述泄漏跟踪器包括电阻式存储器单元复制列,并且其中,所述复制列包括位线BL和源线SL。
2.如权利要求1所述的设备,其中,所述电路用于自适应地调整所述源线SL上的所述电压。
3.如权利要求1所述的设备,其中,所述电路包括电流镜。
4.如权利要求3所述的设备,其中,所述电路包括负反馈路径,所述负反馈路径用于控制晶体管的栅极端子上的电压以使得通过所述复制列的泄漏电流等于所述电流镜的电流比。
5.如权利要求1所述的设备,其中,所述复制列的所述源线SL被电短路至数据列的源线SL。
6.如权利要求1所述的设备,其中,所述电阻式存储器单元中的至少一个包括具有耦合到地的栅极端子的存取晶体管,并且其中,所述存取晶体管包括耦合到所述源线SL的源极/漏极端子。
7.如权利要求1所述的设备,其中,所述电路可操作用于在存储器读取操作期间接通。
8.如权利要求1所述的设备,其中,所述电路可操作用于在非读取操作期间断开。
9.如权利要求1所述的设备,其中,复制列被定位在存储器阵列的数据列内,其中所述复制列包括与存储器阵列中的数据列的电阻式存储器单元相同的电阻式存储器单元列。
10.如权利要求1所述的设备,其中,所述电阻式存储器单元包括以下各项中的至少一者:
磁隧道结器件;
相变存储器单元;或者
电阻式随机存取存储器。
11.如权利要求1所述的设备,其中,所述泄漏跟踪器包括模拟电阻式存储器单元列的泄漏行为的一个或多个晶体管。
12.如权利要求11所述的设备,其中,所述一个或多个晶体管与所述电路的晶体管是相同或不同类型的。
13.如权利要求1所述的设备,其中,所述泄漏跟踪器在结构上与数据列相同。
14.如权利要求1所述的设备,包括耦合到所述电路的单位增益放大器,其中,所述单位增益放大器用于针对所述电阻式存储器单元列生成经升压的源线SL电压。
15.一种用于减少泄漏的设备,所述设备包括:
存储器阵列,所述存储器阵列具有电阻式存储器单元行和列;
泄漏跟踪器,所述泄漏跟踪器用于跟踪与所述存储器阵列相关联的电阻式存储器单元列的泄漏电流;以及
电路,所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器,用于在读取操作期间自适应地提升所述电阻式存储器单元列的源线SL上的电压,
其中,所述泄漏跟踪器包括电阻式存储器单元复制列,所述复制列具有位线BL和源线SL。
16.如权利要求15所述的设备,其中,所述电路包括电流镜,并且其中,所述电路包括负反馈路径,所述负反馈路径用于控制到晶体管的栅极端子上的电压以使得通过所述复制列的泄漏电流等于所述电流镜的电流比。
17.一种能够减少泄漏的系统,所述系统包括:
存储器;
处理器,所述处理器耦合到所述存储器,所述处理器包括根据权利要求1至14中任一项所述的设备;以及
无线接口,所述无线接口用于允许所述处理器与另一装置进行通信。
18.一种用于减少泄漏的系统,所述系统包括:
存储器;
处理器,所述处理器耦合到所述存储器,所述处理器包括根据权利要求15至16中任一项所述的设备;以及
无线接口,所述无线接口用于允许所述处理器与另一装置进行通信。
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