[发明专利]带有隔片的密封用片以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201580062102.9 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN107004608A 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 志贺豪士;饭野智绘 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;C09J7/02;C09J163/00;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 葛凡
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 带有 密封 以及 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种带有隔片的密封用片,其特征在于,

其具备隔片和层叠于所述隔片上的密封用片,

所述隔片的与所述密封用片接触的面利用氨基醇酸系脱模剂进行了处理。

2.如权利要求1所述的带有隔片的密封用片,其特征在于,在150℃加热1小时后的所述密封用片与所述隔片的剥离强度小于0.4N/100mm宽。

3.如权利要求1或2所述的带有隔片的密封用片,其特征在于,所述密封用片含有环氧树脂。

4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,

该制造方法包括:

工序A,准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体;

工序X,准备权利要求1~3中任一项所述的带有隔片的密封用片;

工序B,在所述层叠体的所述半导体芯片上配置所述带有隔片的密封用片;

工序C,将所述半导体芯片嵌入所述密封用片中,形成在所述密封用片中嵌入有所述半导体芯片的密封体;

工序D,使所述密封体的所述密封用片热固化;和

工序E,在所述工序D之后,将所述隔片剥离。

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