[发明专利]集成电路封装在审
申请号: | 201580062500.0 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN107278325A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | K·坎农 | 申请(专利权)人: | 高通技术国际有限公司 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邬少俊,王英 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 | ||
1.一种集成电路封装,包括:
半导体管芯;
引线框架,其位于第一平面中;
至少一个导电柱结构,其从所述第一平面向外延伸,其中所述引线框架和所述至少一个导电柱结构由烧结导电材料形成;
封装材料,其封装所述半导体管芯、所述引线框架和所述至少一个导电柱结构;
导电层,其位于所述封装的上表面上,所述导电层导电连接到所述至少一个导电柱。
2.如权利要求1所述的封装,其中所述至少一个导电柱结构具有大于所述引线框架的高度的高度。
3.如权利要求1所述的封装,其中所述至少一个导电柱结构垂直于所述第一平面延伸。
4.如权利要求1所述的封装,包括多个所述导电柱。
5.如权利要求4所述的封装,其中所述多个导电柱在所述引线框架的周边周围间隔开。
6.如权利要求1所述的封装,其中所述至少一个导电柱位于所述封装的周边上。
7.如权利要求1所述的封装,其中所述至少一个导电柱包括位于所述引线框架的周边周围的导电材料的连续壁。
8.如权利要求7所述的封装,其中所述壁位于所述封装的周边上。
9.如权利要求1所述的封装,其中所述导电层形成所述封装的EMI屏蔽和所述封装的热屏蔽中的至少一种。
10.如权利要求1所述的封装,其中所述导电层是导电薄板材料。
11.如权利要求1所述的封装,其中所述导电层是烧结导电材料。
12.如权利要求1所述的封装,其中所述烧结导电材料是烧结金属。
13.如权利要求1所述的封装,其中所述烧结导电材料是烧结银。
14.如权利要求1所述的封装,还包括在所述半导体管芯之下的热焊盘,并且其中导电路径将所述至少一个导电柱结构连接到所述热焊盘。
15.一种封装半导体管芯的方法,包括:
通过在需要引线框架的元件的位置处将导电材料沉积到载体的表面上来形成所述引线框架;
通过在需要至少一个导电柱结构的位置处将所述导电材料沉积到所述载体的所述表面上来形成所述至少一个导电柱结构,其中所述导电材料是烧结导电材料;
附着半导体管芯;
将所述半导体管芯连接到所述引线框架;
封装所述半导体管芯、所述引线框架和所述至少一个导电柱结构以形成包覆封装;
将导电层加入到所述包覆封装的上表面,所述导电层导电连接到所述至少一个导电柱;以及
去除所述载体。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述至少一个导电柱结构具有大于所述引线框架的高度的高度。
17.如权利要求15所述的方法,其中形成至少一个导电柱结构包括多个沉积所述导电材料的阶段,在所述阶段之间进行固化。
18.如权利要求15所述的方法,其中加入导电层包括将一层所述导电材料沉积在所述包覆封装的上表面上。
19.如权利要求15所述的方法,其中加入导电层包括将导电薄板附着到所述包覆封装的上表面。
20.如权利要求15所述的方法,其中通过沉积所述导电材料来形成所述至少一个导电柱结构包括以下其中之一:
丝网印刷所述导电材料;
印刷所述导电材料。
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