[发明专利]外延晶片的制造方法

权利要求书

1.一种外延晶片的制造方法，

其在插入于基座的正反面具有开口的贯通孔中的顶起销的上面相对于正面侧的所述开口具有阶差的状态下，通过位于所述基座上下的热源加热而在载置在所述基座上的基板上使外延层生长，其特征在于，包括：

调节步骤，其测定从所述状态下的所述开口至所述顶起销的上面为止的阶差，并根据所测定的所述阶差调节位于所述基座上侧的所述热源与位于所述基座下侧的所述热源的输出的比率，位于所述基座上侧的所述热源为上侧热源，位于所述基座下侧的所述热源为下侧热源，

其中，在规定范围内的所述上面陷入所述贯通孔的状态的所述阶差内，预先设定适合使所述外延层的表面平坦的所述上面陷入所述贯通孔的状态的所述阶差与所述输出的比率的较佳配对，

所述调节步骤在所述所测定的所述阶差在所述规定范围内时，将所述输出调节为与所述所测定的所述阶差形成所述较佳配对的所述比率，

与所述阶差形成为所述较佳配对的所述比率被设定为，相对于所述开口的所述上面的陷入量越大，相对于所述上侧热源的输出与所述下侧热源的输出的合计，所述下侧热源的输出的比率越大。

2.如权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于：

其中，所述调节步骤在所述所测定的所述阶差在所述规定范围外时，更换所述基座与所述顶起销。

3.如权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于：

其中，在将所述热源的输出的合计设为100%时，将所述比率调节为所述上侧的所述热源的输出：所述下侧的所述热源的输出＝55%：45%～40%：60%的范围内。

4.如权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于：

其中，所述调节步骤使用激光测定所述阶差。