[发明专利]外延晶片的制造方法

说明书

一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座3的贯通孔H中的顶起销4的上面4b1相对于贯通孔H的上侧的开口H1a陷入或突出而具有阶差D的状态下，在载置在基座3上的基板W上使外延层气相外延。利用激光测定从顶起销4的上面4b1至贯通孔H的开口H1a为止的阶差D，并根据该所测定的阶差D而调节位于基座3的上下的加热器9在外延生长时的输出。由此，提供一种能够容易地调节外延生长时的热源的输出的外延晶片的制造方法。

技术领域

本发明涉及一种外延晶片的制造方法。

背景技术

在外延生长时使外延层生长的生长用基板，例如载置于圆盘状的基座上。在该基座上形成有贯通自身正反面的多个贯通孔，在该各贯通孔中，例如，如专利文献1所示，插入有相对于基座能够升降运动的顶起销。通过插入在各贯通孔中的多个顶起销的升降，在顶起销与基座之间进行晶片的交接。

在将运送至基座上方的晶片载置在基座上时，使多个顶起销自贯通孔向上方突出，而以利用该突出的顶起销的上面支撑晶片背面的方式接收晶片。然后，保持藉由顶起销支撑晶片的状态使顶起销下降，晶片下降至基座上由此将晶片载置在基座上。将晶片载置在基座上的顶起销在自身的上面陷入贯通孔的同时，在自身的上端部被贯通孔卡住的状态下停止，然后，相对于基座上的晶片使外延层气相外延。

在该外延生长时，通过位于基座上下的热源而加热晶片。对晶片进行加热的热还传递至上端部被基座的贯通孔卡住的顶起销，在外延生长时自顶起销散热等，从而在顶起销的周围与其他区域产生温度差。因此，外延生长中的晶片或基座会根据是否为顶起销的周围而局部地产生温度差，若在产生该温度差的状态下外延生长，则外延层的平坦度将恶化。

因此，通过调节位于基座上下的热源的输出平衡，从而抑制由顶起销导致的温度差，以使外延层的表面平坦。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：特开2000-26192号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，由于自顶起销的散热而引起的温度差会根据插入在贯通孔的顶起销的上面与贯通孔的上侧的开口(基座的正面侧的开口)的位置关系而变化。即，温度差根据插入在贯通孔的顶起销的上面以相对于该贯通孔的上侧的开口陷入或突出的方式定位形成的顶起销与基座阶差而变化。进而，该阶差依赖于基座与顶起销的完工尺寸，在基座与顶起销的完工尺寸的设计误差范围内，该阶差会产生偏差。因此，外延生长所使用的基座与顶起销的组合会引起由顶起销导致的温度差发生变化，每当该组合改变时，必须要调节上下热源的输出平衡，而这种调节花费工时。

本发明的技术问题在于提供一种外延晶片的制造方法，其容易调节外延生长时热源的输出。

解决技术问题的方法及发明效果

本发明的外延晶片的制造方法是，

在插入于基座正反面具有开口的贯通孔中的顶起销的上面相对于正面侧的开口具有阶差的状态下，通过位于基座上下的热源加热而在载置于基座上的基板上使外延层生长的外延晶片的制造方法，其特征在于，包括：

调节步骤，其测定所述状态下的从开口至顶起销的上面为止的阶差，并根据所测定的阶差调节位于上下的热源的输出。