[发明专利]用于虚设阵列泄漏减少的相变存储器单元注入

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个相变存储器元件包括虚设单元和与所述虚设单元电耦合的有源单元，其中每个所述虚设单元包括：

底部电极层；

设置在所述底部电极层上的选择器件层；

设置在所述选择器件层上的中间电极层；

设置在所述中间电极层上的相变材料层；以及

设置在所述相变材料层上的顶部电极层，

其中，所述相变材料层被掺杂杂质以减少所述虚设单元的单元泄漏，其中所述有源单元没有被掺杂所述杂质。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述选择器件层被掺杂杂质以减少所述虚设单元的单元泄漏。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述选择器件层和所述相变材料层被掺杂相同的杂质。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述选择器件层具有比所述相变材料层更高的所述杂质的浓度。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中：

所述相变材料层和所述选择器件层包括硫属化物材料；并且

所述杂质选自由砷(As)、锗(Ge)、氧(O)、硅(Si)、碳(C)、硼(B)以及氮(N)组成的组。

6.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，还包括包含单元阵列的单元的拼片，其中，所述虚设单元被设置在所述拼片的边缘处。

7.一种制造存储器装置的方法，包括：

形成相变存储器(PCM)器件的堆叠层，所述堆叠层包括多个相变存储器元件，其中所述多个相变存储器元件包括虚设单元和与所述虚设单元电耦合的有源单元，其中形成所述堆叠层包括：

在字线金属层上沉积底部电极层；

在所述底部电极层上沉积选择器件层；

在所述选择器件层上沉积中间电极层；

在所述中间电极层上沉积相变材料层；以及

在与所述虚设单元相对应的堆叠层的区域中对所述相变材料层掺杂杂质，以减少所述虚设单元的单元泄漏，其中所述有源单元没有被掺杂所述杂质。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

对所述选择器件层掺杂杂质以减少所述虚设单元的单元泄漏。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述选择器件层和所述相变材料层在相同的注入过程期间被掺杂相同的杂质。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述选择器件层进行掺杂在所述选择器件层中提供了比所述相变材料层中的所述杂质的浓度更高的所述杂质的浓度。

11.根据权利要求7-10中的任一项所述的方法，其中：

所述相变材料层和所述选择器件层包括硫属化物材料；并且

所述杂质选自由砷(As)、锗(Ge)、氧(O)、硅(Si)、碳(C)、硼(B)以及氮(N)组成的组。

12.根据权利要求7-10中的任一项所述的方法，其中，所述虚设单元被设置在包括单元阵列的单元的拼片的边缘处。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述单元的拼片的有源单元的区域被图案化的掩模层保护，使得在对所述相变材料层的所述掺杂期间所述有源单元不被掺杂所述杂质。