[发明专利]吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法有效
| 申请号： | 201580065352.8 | 申请日： | 2015-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN107210210B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 鸟居勘太郎 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B9/00;B24B37/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雨;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸附 卡盘 倒角 研磨 装置 以及 硅晶圆 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种吸附卡盘，其特征在于，具备：
吸附卡盘台，具有圆形的吸附面；以及
吸附保护垫，设置于所述吸附面，
所述吸附面形成有划分位于中心侧的中央区域及位于外周侧的外周区域的环状或圆弧状的凹部，且所述中央区域形成有放射状的凹部，
所述吸附保护垫具有与所述放射状的凹部连通的开口孔，
所述吸附保护垫在除了所述放射状的凹部以外的所述中央区域与所述吸附面接合，在所述外周区域不与所述吸附面接合。
2.根据权利要求1所述的吸附卡盘，其特征在于，
所述吸附保护垫为直径大于或等于所述吸附面的直径的圆形。
3.一种倒角研磨装置，其特征在于，
具备权利要求1或2所述的吸附卡盘。
4.一种硅晶圆的倒角研磨方法，将硅晶圆吸附保持于吸附卡盘的吸附保持垫，并研磨所述硅晶圆的倒角部，所述吸附卡盘具备具有圆形吸附面的吸附卡盘台以及设置于所述吸附面上的所述吸附保持垫，其特征在于，
所述吸附面形成有划分位于中心侧的中央区域及位于外周侧的外周区域的环状或圆弧状的凹部，且所述中央区域形成有放射状的凹部，
所述吸附保护垫具有与所述放射状的凹部连通的开口孔，
所述吸附保护垫在除了所述放射状的凹部以外的所述中央区域与所述吸附面接合，在所述外周区域不与所述吸附面接合。
5.根据权利要求4所述的硅晶圆的倒角研磨方法，其特征在于，
所述吸附保护垫为直径大于或等于所述吸附面的直径的圆形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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