[发明专利]吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法

说明书

本发明提供一种吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法，其特征在于，吸附卡盘(11)具备：吸附卡盘台(111)，具有圆形的吸附面(111A)；吸附保护垫(112)，设置于所述吸附面(111A)，所述吸附面(111A)形成有划分位于中心侧的中央区域(111D)及位于外周侧的外周区域(111E)的环状或圆弧状的凹部(111C)，且所述中央区域(111D)形成有放射状的凹部(111F)，所述吸附保护垫(112)具有与所述放射状的凹部(111F)连通的开口孔(112A)，所述吸附保护垫(112)在除了所述放射状的凹部(111F)以外的所述中央区域(111D)与所述吸附面(111A)接合。

技术领域

本发明涉及一种吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法。

背景技术

大口径的硅晶圆中，通过双面研磨使正面和背面作为研磨面的规格成为主流。因此，不只对正面侧，对背面侧也提高了对污垢或损伤缺陷等的品质的要求。

另一方面，对硅晶圆的倒角部的镜面品质的要求也提高，且必须实施倒角研磨。通常的倒角研磨中，如图1所示的倒角研磨装置1的吸附卡盘2上载置硅晶圆W，通过抽真空将硅晶圆W吸附保持于吸附卡盘2上。然后，在保持于吸附卡盘2的状态下使硅晶圆W高速旋转，供给研磨浆料，将具备研磨垫的研磨机构3压在倒角部，由此研磨倒角部。

该倒角研磨中，将硅晶圆W吸附保持于吸附卡盘2，导致被吸附面产生接触痕等缺陷而成为课题。

作为解决上述课题的方法，如图2所示，已知有在吸附面上具有用来抽真空的凹部2A的吸附卡盘台2B，贴附沿凹部2A的图案的形状的吸附保护垫2C的技术。在上述结构的吸附卡盘2中，将硅晶圆W吸附保持于具有柔软性的吸附保护垫2C上，由此降低对硅晶圆W的被保持面的吸附损伤。

并且，作为与吸附卡盘相关的技术，已公开有设置可挠性的外凸缘，且通过外凸缘来形成吸附面的外周部分的吸附卡盘(参考专利文献1)。上述专利文献1所记载的吸附卡盘中，在吸附于吸附面的晶圆的外周施加用于加工的外力，即使晶圆产生挠曲，通过外凸缘形成的吸附面的外周部分会追随挠曲的晶圆，因此晶圆与吸附面之间不会产生间隙，也不会因此而造成真空状态被破坏，能够稳定地保持晶圆。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-311040号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

但是，上述专利文献1的吸附卡盘中，对应可挠性的外凸缘的部位形成有吸附垫的开口部。因此，通过倒角研磨时的外力使晶圆产生挠曲的情况下，外凸缘无法充分地追随晶圆，外凸缘的吸附垫与晶圆的界面可能会剥落，真空状态可能会从外凸缘所对应的部位的开口部被破坏。

并且，倒角研磨中，通过研磨浆料存在下的硅晶圆与吸附卡盘的接触，有硅晶圆的外周区域产生缺陷的问题。

图3中示出硅晶圆W在倒角研磨后的被吸附面中的LPD(Light Point Def ect)分布图。图3中，以菱形表示的部位表示LPD缺陷。

具体而言，如图3所示，结束倒角研磨的硅晶圆W的被吸附面上，主要会沿着吸附卡盘台的外周形状形成缺陷图案，以上述缺陷图案为原因而造成的粒子品质恶化或纳米拓扑品质恶化成为问题。

本发明的目的在于，提供一种提高硅晶圆的粘附性，抑制硅晶圆的外周区域上产生缺陷的、吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法。

用于解决技术课题的手段

上述的倒角研磨时形成于硅晶圆的外周区域的缺陷的产生机制推测如下。