[发明专利]具有直插式MEMS开关的多通道继电器组合件有效
申请号: | 201580065801.9 | 申请日: | 2015-10-26 |
公开(公告)号: | CN107004541B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 李瑢宰;M.F.艾米;G.S.克莱顿;C.F.凯梅尔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01P1/12 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑浩;付曼 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 直插式 mems 开关 通道 继电器 组合 | ||
欧姆RF MEMS继电器包括:以电容耦合Csub的衬底;两个致动元件,其串联电耦合以便定义通道,其中,致动元件配置成被独立地致动或同时地操作。致动元件具有其自身的电容耦合C间隙;通道上的中点与致动元件电气通信;以及锚,其与衬底机械地耦合,并且支承致动元件中的至少一个。而且欧姆RF MEMS继电器包括:输入端口;多个第一MEMS开关,其组成第一切换组,第一切换组与输入端口电气通信,由此定义各自从每个MEMS开关引导的多个通道;以及至少一个出口端口,其沿着远离第一切换组的每个通道,并且,与输入端口电气通信。
背景技术
本发明的方面一般涉及用于切换的装置,且更具体地,涉及包含供在射频应用中使用的多个直插式微机电系统(MEMS)开关结构的多通道继电器组合件。
射频(RF)应用中的“理想的”开关的有抱负的技术规范保持为近似地:高隔离(截止状态的电容(C截止))= 0 fF;高线性度(IIP2和IIP3 → ∞ ;中等或更高的功率操控(100mW-1 kW);在大的频率范围内没有插入损耗(R导通 = 0 Ω);并且没有dc功率消耗。
在接近这一理想的RF开关的成功被证实为难懂的。虽然大并且昂贵且过时的技术,但机电继电器仍然为在执行得良好的RF开关的相当地成功的尝试。其他类型的RF开关技术包括p-i-n二极管和GaAs FET开关。这些也具有关于某些RF应用的缺点。
最近,尝试了以基于压电、静电、热或静磁设计的致动器来使用微机电系统(MEMS)技术。使用MEMs提供机械继电器的低成本制作连同一些技术性能益处的混合。RF MEMs开关使用微机械移动来达到一个或多个RF线路中的开路或短路。
因此,存在对于如下的RF应用开关的进行的需要:解决用于高执行开关的RF共同体(community)中的技术目标的一些(如果不是所有的话)连同解决其他目标,例如便于可制造性。
发明内容
根据实施例,欧姆RF MEMS继电器包含:衬底,其具有第一电容耦合Csub;第一致动元件和第二致动元件,其串联电耦合,由此定义第一通道,其中,第一致动元件和第二致动元件配置成被独立地致动,进一步其中,第一致动元件和第二致动元件具有第二电容耦合C间隙;第一通道上的中点,其与第一致动元件和第二致动元件电气通信;以及至少一个锚,其与衬底机械地耦合,并且支承第一致动元件和第二致动元件中的至少一个。
根据另一实施例,静电控制欧姆RF MEMS继电器包含:输入;RF传输线,将输入与至少一个输出连接;衬底,其具有第一电容耦合Csub;第一致动元件和第二致动元件,其在RF传输线上串联电耦合,其中,第一致动元件和第二致动元件配置成被独立地致动,进一步其中,第一致动元件和第二致动元件具有第二电容耦合C间隙;RF传输线上的中点,其与第一致动元件和第二致动元件电气通信,其中,中点的电势充当选通信号的公共参考;至少一个锚,其与衬底机械地耦合,并且支承第一致动元件和第二致动元件中的至少一个,其中,比Csub / C间隙 = r,其中,r < 10,进一步其中,继电器配置成在第一闭合位置和第二打开位置中操作,其中:第一闭合位置包含将输入和至少一个输出电连接;并且,第二打开位置包含使输入和至少一个输出电断开。
根据另一实施例,欧姆RF MEMS继电器包含:输入端口;多个第一MEMS开关,其定义第一切换组,第一切换组与输入端口电气通信,由此定义各自从多个第一MEMS开关中的每个引导的多个通道;以及至少一个出口端口,其沿着远离第一开关组的多个信道中的每个,并且与输入端口电气通信。
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