[发明专利]从籽晶结构体分离碳结构体的方法

权利要求书

1.一种将沉积在籽晶结构体(2)上的碳结构体(1)从籽晶结构体(2)分离的方法，包括以下步骤：

-在化学气相沉积(CVD)反应器(4)的处理室(7)中，提供沉积在籽晶结构体(2)上的碳结构体(1)，

-将包括所述籽晶结构体(2)和所述碳结构体(1)的基底(3)加热至处理温度；

-将至少一种蚀刻气体注入到所述处理室(7)中，

所述蚀刻气体具有通式AOmXn、AOmXnYp或 AmXn，其中A选自包含S、C、N的元素的组，其中O为氧，其中X、Y为不同的卤 素，并且m、n、p为大于零的自然数；

-在所述处理室内用热、紫外或等离子体活化所述蚀刻气体，其中作为对所述活化的响应，所述蚀刻气体分解成第一反应产物；

-通过与所述第一反应产物的化学反应将籽晶结构体(2)转化成气态的第二反应产物；

-借助于载气流从处理室(7)移除所述气态的第二反应产物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶结构体为金属结构体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳结构体(1)为石墨烯或碳纳米管。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶结构体包含来自以下元素的组的至少一种元素：Cu、Ni、Co、Fe、Ru、Ir、Ga、Gd、Mo、Mn、Ag、Au、B、Si、Ge。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶结构体(2)布置在基底(3)和碳结构体(1)之间或在该碳结构体上方并在该基底中，以及该籽晶结构体由颗粒、在基底(3)上的层形成或由基底本身形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含元素氯。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体为SOCl₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体为由多种互不相同的气体组成的气体混合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻气体源(11)中提供所述蚀刻气体，在该蚀刻气体源中液体被蒸发。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述蚀刻气体一起将具有通式RX的添加剂气体供应到所述处理室中，其中R为氢或金属，以及X为卤素。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，籽晶结构体(2)转化成气态的反应产物的进度通过测取该籽晶结构体的表面(2')的反射率来确定，其中为测取所述反射率使用光源(18)和检测器(21)，所述光源产生在该籽晶结构体的表面(2')处被反射的入射光束(19)，所述检测器测量反射光束(20)的强度，其中入射光束(19)与表面(2')的表面延伸垂直地或成角度地入射和/或所述光束连续地或以脉冲的方式产生。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，当检测器(21)测取到的反射光束(20)的强度在经过最小值之后达到最大值时，结束向处理室引入所述蚀刻气体。

13.用于实施根据前述权利要求之一所述的方法的装置，其特征在于用于提供蚀刻气体的源，所述源具有容器，液体被储存在所述容器中，由该液体通过蒸发可产生蚀刻气体。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于光源(18)和检测器(21)，其中光源(18)产生光束，该光束在碳结构体(1)和籽晶结构体(2)之间的边界层处被反射，并且具有如下的检测器(21)，所述检测器(21)测取在所述边界层处被反射的光束的强度。

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于如下的控制器，当检测器(21)测取到的反射光束(20)的强度在经过最小值后不再上升时，该控制器与检测器(21)共同作用并关闭蚀刻气体向处理室(7)中的进气。