[发明专利]从籽晶结构体分离碳结构体的方法

说明书

本发明涉及从籽晶结构体(2)分离沉积在该籽晶结构体(2)上的碳结构体(1)例如石墨烯、碳纳米管或半导体纳米线的方法。为了简化碳结构体的制备并且特别地提供用来在进行沉积的处理室内从籽晶结构体分离碳结构体的方法而提出：在CVD反应器的处理室中提供沉积在籽晶结构体(2)上的碳结构体；加热具有籽晶结构体(2)和碳结构体(1)的基底至处理温度；供应具有通式AOmXn、AOmXnYp或AmXn的至少一种蚀刻气体，其中A选自包含S、C、N的元素的组，其中O为氧，其中X、Y为不同的卤素，并且m、n、p为大于零的自然数；通过与所述蚀刻气体的化学反应将籽晶结构体(2)转化成气态的反应产物；借助于载气流移除所述气态的反应产物。

技术领域

本发明涉及从籽晶结构体分离沉积在该籽晶结构体上的碳结构体例如石墨烯、碳纳米管或半导体纳米线的方法。

背景技术

从现有技术已知，能将碳结构体例如石墨烯层、碳纳米管和半导体纳米线沉积在基底(衬底)上。特别地，US 8,685,843B2描述了这种类型的方法。在此，碳结构体的沉积在籽晶结构体（或称为晶种结构体）例如金属结构体上进行，所述金属结构体可为金属层、特别地铜层。在US 8,728,433B2中还描述了石墨烯的沉积。在籽晶结构体上沉积石墨烯层、碳纳米管或半导体纳米线之后，有必要使结构体或层彼此分离。这在现有技术中通过湿法蚀刻来进行，其中在水性溶液中将籽晶结构体蚀刻掉。

已知的还有在干蚀刻工艺中清洁CVD反应器的处理室的方法。例如。WO2014/094103A1示出了通过将亚硫酰(二)氯引入处理室来除去反应器壁上的III-V沉积物(Belegungen)的清洁方法。

发明内容

本发明的目的在于，能够简化碳结构体的制备以及特别地提供如下的方法，使用该方法在其中进行沉积的处理室内从籽晶结构体分离碳结构体。

所述目的通过以下提及的发明得以实现。所述方法基本上由以下步骤组成：

-在CVD反应器的处理室中提供沉积在籽晶结构体上的碳结构体；

-加热具有籽晶结构体(2)和碳结构体(1)的基底至处理温度；

-供应具有通式AO_mX_n、AO_mX_nY_p或 A_mX_n的至少一种蚀刻气体，其中A选自包含S、C、N的元素的组，其中O为氧，其中X、Y为不同的卤素，并且m、n、p为＞零的自然数；

-通过与所述蚀刻气体的化学反应将籽晶结构体转化成气态的反应产物；

-借助于载气流从所述处理室移除所述气态的反应产物。