[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有：

-半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中所述主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)，所述发射区能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从所述半导体芯片(1)中耦合输出辐射，

-进行反射的分离壁(20)，所述分离壁施加到所述主侧(10)上并且与主侧(10)直接接触，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在所述主侧(10)的俯视图中至少部分地包围所述发射区(11)，

-至少一个转换元件(4)，所述转换元件施加到所述主侧(10)上，所述转换元件具有朝向所述半导体芯片(1)的下侧(41)和背离所述半导体芯片(1)的上侧(42)，其中

-所述分离壁(20)由与所述半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，

-所述分离壁(20)沿远离所述主侧(10)的方向超出所述半导体芯片(1)，

-所述转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接，

-所述转换元件(4)的所述下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离所述主侧(10)的方向超出所述分离壁(20)最多为所述分离壁(20)的高度的10％，

-至少一个所述转换元件(4)借助于透明粘胶(3)材料配合地固定在所述发射区(11)上，并且所述粘胶(3)处于所述主侧(10)和所述转换元件(4)之间，

-所述半导体芯片(1)的所述主侧(10)沿着所述半导体芯片(1)的整个横向扩展是平坦的且无沟槽的。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(100)，其中

-所述透明粘胶(3)至少施加在所述发射区(11)中的一个上并且至少部分地形状配合地覆盖包围该发射区(11)的进行反射的所述分离壁(20)的侧壁，

-所述转换元件(4)构成为自承的小板，所述小板的上侧(42)和下侧(41)在制造公差的范围内是平面的并且彼此平行地伸展。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体组件(100)，其中

-所述半导体芯片(1)的有源层(12)沿着所述半导体芯片(1)的整个横向扩展连续且无中断地延伸，

-各个所述发射区(11)通过对一一对应地关联的、分开的接触元件(13)通电能够单独地且彼此独立地来控制，所述接触元件安置在所述半导体芯片(1)的背离所述主侧(10)的一侧上。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体组件(100)，其中

-所述转换元件(4)的下侧(41)在被遮盖的所述发射区(11)的区域中沿远离所述主侧的方向(10)不超出进行反射的所述分离壁(20)，

-所述转换元件(4)与所述分离壁(20)和所述透明粘胶(3)直接接触。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体组件(100)，其中

-多个发射区(11)和在其之间伸展的所述分离壁(20)由共同的、连续且连贯构成的转换元件(4)遮盖，

-共同的所述转换元件(4)在所述分离壁(20)的区域中具有沟槽(40)，所述沟槽沿朝所述主侧(10)的方向和/或沿远离所述主侧(10)的方向从所述转换元件(4)的上侧(42)和/或下侧(41)延伸到所述转换元件(4)中，

-所述沟槽(40)引起在发射辐射的发射区(11)和与其相邻的发射区(11)之间的光学分离。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体组件(100)，其中

-多个发射区(11)分别具有自身的转换元件(4)，所述转换元件分别一一对应地与发射区(11)相关联，并且分别借助于所述透明粘胶(3)设置在所述发射区(11)上，

-在所述分离壁(20)的区域中分别通过间隙(43)将两个相邻的发射区(11)的所述转换元件(4)横向彼此间隔开。

7.根据权利要求6所述的光电子半导体组件(100)，其中

-所述透明粘胶(3)至少部分地填充所述间隙(43)，

-所述间隙(43)至少部分地用反射材料(6)填充。