[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

说明书

提出一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件具有半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有主侧(10)，其中主侧(10)包括多个并排设置的发射区(11)。发射区(11)能够单独地且彼此独立地控制并且经由所述发射区在运行时分别从半导体芯片(1)中耦合输出辐射。将进行反射的分离壁(30)施加到主侧(10)上，所述分离壁设置在相邻的发射区(11)之间并且在主侧(10)的俯视图中至少部分地包围发射区(11)。此外，将具有朝向半导体芯片(1)的下侧(41)和背离的上侧(42)的转换元件(4)施加到主侧(10)上。分离壁(20)由与半导体芯片(1)的半导体材料不同的材料形成，并且沿远离主侧(10)的方向超出半导体芯片(1)。转换元件(4)至少部分地遮盖至少一个发射区(11)并且与该发射区(11)机械稳定地连接。转换元件(4)的下侧(41)在被遮盖的发射区(11)的区域中沿远离主侧(10)的方向超出分离壁(20)最多为分离壁(20)的高度的10％。

技术领域

提出一种光电子半导体组件。此外提出一种用于制造光电子半导体组件的方法。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种光电子半导体组件，其中相邻的发射区或像点(英文为Pixel，像素)的光学分离是尤其有效的。另一要实现的目的在于：提出一种用于制造这种半导体组件的方法。

所述目的通过实施例的主题实现。有利的设计方案和改进形式从如下描述中得到。

根据至少一个实施方式，光电子半导体组件具有半导体芯片，所述半导体芯片具有主侧。主侧优选构成为半导体芯片的辐射出射面。主侧尤其包括多个彼此并排设置的发射区，所述发射区能够单独地且彼此独立地控制。如果例如控制或运行一个发射区，那么经由所述发射区，尤其经由其平行于主侧的整个横向扩展从半导体芯片中耦合输出辐射。

在主侧的俯视图中，发射区尤其形成半导体芯片的各个像点或像素。发射区例如能够在俯视图中具有矩形的，例如正方形或六边形或圆形的横截面形状。

半导体芯片优选包括半导体层序列，所述半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN或也是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或也是砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成成分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成成分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成成分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。优选地，半导体层序列基于AlInGaN。

半导体层序列包括至少一个有源层，所述有源层设计用于产生电磁辐射。有源层尤其包含至少一个pn结和/或至少一个量子阱结构。由有源层在运行中产生的辐射尤其处于400nm和800nm之间的光谱范围中，其中包括边界值。

根据至少一个实施方式，光电子半导体组件包括施加到主侧上的进行反射的分离壁。在此，分离壁尤其设置在相邻的发射区之间并且在主侧的俯视图中观察至少部分地，尤其完全地包围发射区。

分离壁优选与主侧直接接触。在该情况下，分离壁在主侧上在没有附加连接剂，如粘胶的情况下固定在分离壁和主侧之间。

进行反射的分离壁优选引起处于运行中的发射区和与其相邻的发射区之间的光学分离。换言之，对于观察者而言，在距半导体芯片≥10cm的常见的间距中将两个直接相邻的发射区清晰地彼此分开。因此，受控的发射区不照亮直接相邻的、未受控的发射区或者对于观察者而言不可察觉地照亮直接相邻的、未受控的发射区。相邻的发射区的串扰因此通过分离壁来降低。