[发明专利]组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法

权利要求书

1.一种用于形成含硅材料的组合物：

(a)硅前体化合物双(二甲硅烷基氨基)硅烷；和

(b)溶剂，其中所述溶剂具有沸点，并且所述溶剂的沸点与所述硅前体的沸点之间的差为40℃或更小。

2.根据权利要求1所述的组合物，其包含选自醚、叔胺、烷基烃和芳族烃中的至少一种溶剂。

3.根据权利要求1所述的组合物，其包含选自叔胺、烷基烃、芳族烃和叔氨基醚中的至少一种溶剂。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂包含选自辛烷、乙基环己烷、环辛烷和甲苯中的至少一种。

5.一种在衬底表面的至少一部分上沉积氮化硅膜的方法，所述方法包括：

a.将所述衬底置于反应器中；

b.在足以提供化学吸附层的条件下向所述反应器中引入至少一种硅前体化合物，所述至少一种硅前体化合物包含双(二甲硅烷基氨基)硅烷；

c.用吹扫气体吹扫所述反应器；

d.将包含氮的等离子体源引入所述反应器以与所述化学吸附层的至少一部分反应；和

e.任选地用惰性气体吹扫所述反应器；并且其中重复步骤b至e，直到得到期望厚度的所述氮化硅膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体源选自氮等离子体、氮/氦等离子体、氮/氩等离子体、氨等离子体、氨/氦等离子体、氨/氩等离子体、有机胺等离子体及其混合物。

7.根据权利要求5所述的方法，其中步骤d中的所述等离子体以0.01至1.5W/cm²范围内的功率密度产生。