[发明专利]电光调制器端接有效
申请号: | 201580067449.2 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN107111168B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 唐纳德·本杰明·亚当斯;西恩·P·安德森;马克·安德鲁·韦伯斯特;马修·特拉韦尔索 | 申请(专利权)人: | 思科技术公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宗晓斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 调制器 端接 | ||
1.一种电光设备,用于对沿着传播路径传播的光信号进行调制,所述电光设备包括:
第一调制器部分,被沿着所述传播路径布置,所述第一调制器部分包括:
第一掺杂区域,至少部分地被包括在所述传播路径内,以及
一个或多个第一电触头,被耦接到所述第一掺杂区域,
其中,所述第一调制器部分被配置成通过使用施加到所述一个或多个第一电触头的第一电信号来调制穿过所述第一掺杂区域传播的所述光信号;
端接器部分,包括被沿着所述传播路径布置的第二掺杂区域;以及
未掺杂缓冲区域,被布置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间,其中,所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域沿所述传播路径被所述未掺杂缓冲区域的宽度隔开,所述宽度被选择成使得所述未掺杂缓冲区域和第二掺杂区域合起来对所述第一调制器部分呈现具有预定RC时间常数的阻抗,从而减轻衰颓对所述传播的光信号的影响。
2.根据权利要求1所述的电光设备,其中所述缓冲区域的宽度在0.1微米至5微米之间。
3.根据权利要求1所述的电光设备,其中所述第二掺杂区域与相应的第二电触头耦接,并且其中,所述第二掺杂区域还被配置成当所述第二电触头被第二电信号驱动时进一步减轻所述衰颓对所述传播的光信号的影响。
4.根据权利要求1所述的电光设备,其中所述第一调制器部分的所述第一掺杂区域包括相应的第一对掺杂区域,其中,所述第一对掺杂区域中的每个掺杂区域与相应的电触头耦接并具有不同的掺杂,其中所述第一对掺杂区域部分地重叠以定义重叠区域,并且所述重叠区域至少部分地被包括在所述传播路径中。
5.根据权利要求4所述的电光设备,其中所述端接器部分的所述第二掺杂区域包括第二对掺杂区域,其中,所述第二对掺杂区域中的每个掺杂区域具有不同的掺杂,其中所述第二对掺杂区域部分地重叠以定义第二重叠区域,并且所述第二重叠区域至少部分地被包括在所述传播路径中。
6.根据权利要求5所述的电光设备,其中,所述第一对掺杂区域和第二对掺杂区域中的每对掺杂区域包括第一材料类型的一个掺杂区域以及不同于所述第一材料类型的第二材料类型的另一掺杂区域,并且其中对于所述第一材料类型和所述第二材料类型中的至少一种,具有相同材料类型的所述第一对掺杂区域中的掺杂区域和所述第二对掺杂区域中的掺杂区域被所述未掺杂缓冲区域隔开。
7.根据权利要求1所述的电光设备,还包括:
第二调制器部分,沿所述传播路径与所述第一调制器部分串联;以及
第二端接器部分,被布置成邻近于所述第二调制器部分。
8.根据权利要求1所述的电光设备,其中,所述第一调制器部分包括多个调制器部分,所述端接器部分包括多个端接器部分,其中,所述多个调制器部分和所述多个端接器部分沿着所述传播路径以交替的方式布置。
9.根据权利要求1所述的电光设备,其中所述第一调制器部分包括多个调制器部分,所述多个调制器部分合起来为所述光信号提供多级调制,并且所述多个调制器部分中的每一者提供所述多级调制的相应级别。
10.根据权利要求1所述的电光设备,其中,所述第一调制器部分、所述端接器部分和所述未掺杂缓冲区域被包括在硅-绝缘体-硅的电容(SISCAP)结构中。
11.根据权利要求1所述的电光设备,其中,所述第一调制器部分还包括第三掺杂区域,所述端接器部分还包括第四掺杂区域,其中,所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域是一体形成。
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