[发明专利]电光调制器端接

说明书

在本公开中呈现的实施例大体上涉及包括一个或多个调制器部分和端接器部分的电光设备。每个调制器部分被沿着光信号的传播路径布置，并且包括相应的第一掺杂区域和一个或多个耦接的第一电触头。每个调制器部分操作以通过使用施加到电触头的第一电信号来调制穿过第一掺杂区域传播的光信号。端接器部分被沿着传播路径设置并邻近于至少一个调制器部分，并且可操作以减轻对传播的光信号的衰颓影响。

技术领域

在本公开中呈现的实施例一般涉及光调制，更具体地，涉及电光调制器端接。

背景技术

许多电光设备开发自由载流子色散效应来改变折射率的实部和虚部。使用这种开发是因为无应变的纯晶体硅不呈现线性电光(泡克耳斯(Pockels))效应，并且由弗朗兹-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和克尔(Kerr)效应引起的折射率变化非常弱。在诸如马赫-曾德调制器、基于全内反射(TIR)的结构、交叉开关、Y开关、环形谐振器、法布里-珀罗谐振器之类的光学设备的特定区域中的相位调制可用于调制输出强度。

电光设备中的自由载流子浓度可以通过载流子的注入、累积、消耗或反转来改变。迄今为止所研究的大多数设备具有一些共同特征，例如要求较长的相互作用长度(例如，5-10mm)和高于1kA/cm³的注入电流密度，以便于获得显著的调制深度。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以通过参考实施例对上文简要总结的本公开内容获得更具体的描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出了本公开的典型实施例，因此不应将其视为限制其范围，因为本公开可以允许其他同等有效的实施例。

图1示出了根据本文所述的实施例的绝缘体上硅(SOI)电光调制设备的横截面图。

图2示出了根据本文所述的实施例的多段电光调制设备。

图3A示出了根据本文所述的实施例的包括端接器(terminator)部分的电光调制设备。

图3B和3C示出了根据本文所述的实施例的示例性非端接的调制器设备和示例性端接的调制器设备的等效电路图。

图3D示出了根据本文所述的实施例的包括端接器部分的电光调制设备。

图4示出了根据本文所述的实施例的多段电光调制设备的示意图。

图5示出了根据本文所述的实施例的包括端接器部分的电光调制设备的示意图。

图6示出了根据本文所述的实施例的用于调制光信号的方法。

为了便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记来表示各图中共用的相同元件。在没有具体说明的情况下，也想到了在一个实施例中公开的元件可以有利地用于其它实施例。

具体实施方式

概览

在本公开中呈现的一个实施例是包括一个或多个调制器部分和端接器部分的电光设备。每个调制器部分被沿着光信号的传播路径布置，并且包括相应的第一掺杂区域以及一个或多个耦接的第一电触头。每个调制器部分操作以通过使用施加到电触头的第一电信号来调制穿过第一掺杂区域传播的光信号。端接器部分被沿着传播路径并邻近于至少一个调制器部分布置，并操作以减轻衰颓(droop)对传播的光信号的影响。

另一实施例是一种方法，其包括接收沿着波导的长度传播的光信号，在波导的调制器部分两端施加第一电信号以调制传播的光信号，以及在波导的端接器部分两端施加第二电信号以在施加第一电信号期间减轻来自调制器部分的衰颓。