[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管，其具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极，其中，

所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触，

所述p型接触区具备：第一p型区域，其在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部；第二p型区域，其在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接；边缘填充部，其在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接，

在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉，

所述边缘填充部填充被形成在所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘，

所述第二p型区域在所述接触面处以带状延伸，

所述锐角为θ，

所述接触面内的所述角部的宽度为W1，

所述接触面内的所述第二p型区域的宽度为W2，

与将所述锐角二等分的直线正交的方向上的所述接触面内的所述边缘填充部的位置处的所述p型接触区的最大宽度为Wa，所述第一p型区域和所述第二p型区域的复合宽度为Wc，Wa与Wc相比较宽，

Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。

2.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，

所述第一p型区域与所述边缘填充部所形成的角在90度以上，所述第二p型区域与所述边缘填充部所形成的角在90度以上。

3.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其中，

多条所述第二p型区域平行地延伸，

所述边缘填充部的从所述第一p型区域离开所述边缘填充部的位置到所述第二p型区域离开所述边缘填充部的位置之间的轮廓与所述第二p型区域正交，

所述边缘填充部的所述轮廓的长度在相邻的所述第二p型区域之间的间隔的一半以下。

4.一种肖特基势垒二极管的制造方法，其为制造肖特基势垒二极管的方法，其中，

在n型的半导体基板的表面上形成掩膜，并且在所述掩膜上形成有具备以下特征的开口，即：

(a)形成有第一开口部、第二开口部和第三开口部，所述第一开口部形成闭环且具有以曲线状延伸的角部，所述第二开口部被配置于所述第一开口部的内周部且与所述角部连接，所述第三开口部被形成在所述第一开口部与所述第二开口部的连接部处；

(b)在将所述第一开口部的在未与所述第三开口部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二开口部的在未与所述第三开口部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉；

(c)所述第三开口部形成在包括被形成于所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘在内的范围内，

通过隔着所述掩膜而向所述半导体基板注入p型杂质，从而在所述半导体基板中形成p型接触区，

从所述表面去除所述掩膜，

在所述表面上形成阳极电极，所述阳极电极与所述p型接触区接触，并且与曾被所述掩膜所覆盖的范围内的n型区域肖特基接触，

所述第二开口部以带状延伸，

所述锐角为θ，

所述角部的宽度为W1，

所述第二开口部的宽度为W2，

与将所述锐角二等分的直线正交的方向上的所述第三开口部的位置处的所述开口部的最大宽度为Wa，所述第一开口部和所述第二开口部的复合宽度为Wc，Wa与Wc相比较宽，

Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。