[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

说明书

SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

技术领域

(关联申请的相互参照)

本申请为2014年12月17日申请的日本专利申请特愿2014-255287的关联申请，并且本申请要求基于该日本专利申请的优先权，且将该日本专利申请所记载的全部内容作为构成本说明书的内容而援引。

本说明书公开的技术涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法。

背景技术

在日本专利公开2009-94433号公报(以下称为专利文献1)中公开了一种肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode：以下称为SBD)。该SBD具有半导体基板和与半导体基板接触的阳极电极。半导体基板具有与阳极电极接触的p型接触区和在未形成有p型接触区的范围内与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具有环状区域和形成在环状区域的内周部的多个带状区域。各个带状区域与环状区域连接。当向SBD施加正向电压时，电子会穿过阳极电极与n型漂移区之间的肖特基界面而从n型漂移区向阳极电极流动。因此，SBD导通。此外，当向SBD施加反向电压时，上述的电子的流动会停止，从而SBD断开。此外，在SBD断开时，耗尽层会从p型接触区向其周围的n型漂移区扩张。由于耗尽层是以覆盖肖特基界面的方式而扩张的，因此能够防止在肖特基界面附近产生较高的电场的情况。

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1的SBD中，环状区域在其角部以圆弧状延伸。带状区域的一部分与环状区域的角部连接。带状区域相对于环状区域的角部以锐角连接。即，角部的轮廓与带状区域的轮廓以锐角交叉。当该锐角过小时，对该锐角的图案进行稳定加工是较为困难的。因此，在量产SBD时，p型接触区的形状会不稳定，从而存在有在量产的SBD之间电特性的偏差变大的问题。另外，专利文献1的SBD为在导通时空穴不会从p型接触区流入n型漂移区的类型的SBD。该类型的SBD被称为JBSD(Junction Barrier Schottky Diode：结势垒肖特基二极管)。另一方面，还存在有在导通时空穴从p型接触区流入n型漂移区的类型(即，电子与空穴双方均对电流有所贡献的类型)的SBD。该类型的SBD被称为MPSD(Merged PIN ShottkyDiode：合并PIN肖特基二极管)。MPSD有时也具有以与JBSD相同的方式而被配置的p型接触区。因此，在MPSD中也会产生与JBSD相同的问题。因此，在本说明书中提供了一种能够在量产于半导体基板与阳极电极的接触面处具有p型接触区和n型漂移区的SBD时使SBD的特性稳定的技术。

用于解决课题的方法

本说明书所公开的肖特基势垒二极管具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极。所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触。所述p型接触区具备第一p型区域、第二p型区域和边缘填充部。所述第一p型区域在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部。所述第二p型区域在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接。所述边缘填充部在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接。在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉。所述边缘填充部填充被形成在所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘。