[发明专利]用于先进互连应用的超薄电介质扩散阻挡层与蚀刻终止层

权利要求书

1.一种沉积层的方法，包含以下步骤：

将基板定位在工艺腔室的处理区域中，其中所述基板具有设置在所述基板的表面上的电介质层，且在所述电介质层内设置导电接触件；

输送工艺气体到所述处理区域，所述工艺气体包含含铝气体与含硅气体；

活化反应物气体，所述反应物气体包含含氮气体；

输送所述反应物气体到所述工艺气体以产生沉积气体，所述沉积气体将含硅与铝层沉积在所述电介质层上；及

净化所述处理区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅与铝层包含SiAlN、SiAlCN、或SiAlON。

3.如权利要求1所述的方法，其中活化所述反应物气体的步骤包含以下步骤：在输送所述反应物气体到所述工艺气体之前，将所述反应物气体转变成等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应物气体在所述工艺气体的存在下被活化。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述反应物气体包含NH₃、N₂、H₂、或上述的组合物。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述含铝气体是三甲基铝(TMA)。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅气体是三甲基硅烷(TMS)。

8.一种沉积层的方法，包含以下步骤：

将基板定位在工艺腔室的处理区域中；

在所述基板上沉积含硅层，包含以下步骤：

输送第一工艺气体到所述处理区域，所述第一工艺气体包含含硅气体；

活化第一反应物气体，以产生经活化的第一反应物气体，所述第一反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；

输送所述经活化的第一反应物气体到所述第一工艺气体以产生第一沉积气体；及

净化所述处理区域；

在所述含硅层上沉积含铝层，包含以下步骤：

输送第二工艺气体到所述处理区域，所述第二工艺气体包含含铝气体；

活化第二反应物气体，以产生经活化的第二反应物气体，所述第二反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；

输送所述经活化的第二反应物气体到所述第二工艺气体以产生第二沉积气体；及

净化所述处理区域；及

提供后沉积处理，所述后沉积处理结合所述含铝层与所述含硅层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述后沉积处理包含惰性等离子体处理，所述惰性等离子体处理被输送到所述含铝层以及所述含硅层。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述含铝层包含AlN，并且所述含硅层包含SiN、SiCN、或SiON。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述活化所述第一反应物气体或所述第二反应物气体包含以下步骤：在输送所述第一反应物气体或所述第二反应物气体到所述工艺气体之前，将所述第一反应物气体或所述第二反应物气体转变成等离子体。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述第一反应物气体或所述第二反应物气体分别在所述第一工艺气体或所述第二工艺气体的存在下被活化。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述第一反应物气体或所述第二反应物气体包含NH₃、N₂、H₂、或上述的组合物。

14.如权利要求8所述的方法，进一步包括：重复所述沉积含铝层和所述沉积含硅层。

15.如权利要求8所述的方法，其中所述含铝气体是三甲基铝(TMA)。