[发明专利]磁记录介质和磁记录再现装置有效

专利信息
申请号: 201580068639.6 申请日: 2015-12-16
公开(公告)号: CN107004430B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 中村悟;洪泰宁;郭嘉骐;远藤大三 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/725 分类号: G11B5/725;C10M105/54;C10M107/38;G11B5/84
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 再现 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,其特征在于,在非磁性基板上至少依次具有磁性层、保护层和润滑剂层,

所述保护层包含碳或氮化碳,

所述润滑剂层在所述保护层上与之相接触地形成,且包含下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B,所述化合物A相对于所述化合物B的质量比即A/B为0.2~3.0的范围内,所述润滑剂层的平均膜厚为0.8nm~2nm,

R1-C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2-R2-CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)

通式(1)中,R1为碳原子数1~4的烷氧基,R2为-CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2-、或-CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2-、或-CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2-,其中,x的括号内的单元与y的括号内的单元任选依次连接或以相反顺序连接或无规地连接,x、y分别为0~15的实数,z为1~15的实数,n为0~4的实数,

HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)

通式(2)中,m为整数,所述化合物A的平均分子量为1500~1800的范围内,所述化合物B的平均分子量为1000~1700的范围内。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,磁记录介质的表面的总表面能为25.5mJ/m2以下。

3.一种磁记录再现装置,其特征在于,具备:

权利要求1或2所述的磁记录介质;

沿记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部;

对所述磁记录介质进行信息的记录再现的磁头;

使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对运动的磁头移动部;以及,

对来自所述磁头的记录再现信号进行处理的记录再现信号处理部。

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