[发明专利]标记半导体封装的方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：

提供经重构晶圆，其包括与囊装物材料耦接的多个半导体晶粒，该囊装物材料设置在该多个半导体晶粒的侧表面之间且接触所述侧表面，其中各半导体晶粒包括作用表面和与所述作用表面相对的背侧，所述侧表面从所述作用表面延伸至背侧；

用涂布机器将多层材料形成于所述经重构晶圆上和所述经重构晶圆内的所述多个半导体晶粒中的每一个的背侧上，所述多层材料包含非光敏层和光敏层；

在用于所述多个半导体晶粒中的每一个的所述多层材料的所述光敏层中形成识别标记，同时所述多层材料在所述经重构晶圆上，用数字曝光机器和显影剂通过移除所述光敏层的部分来形成用于所述半导体晶粒中的每一个的识别标记，所述识别标记编码唯一产品信息，该唯一产品信息包含从其获取所述多个半导体晶粒中的每一个的原生半导体晶圆的标识和该原生半导体晶圆内的位置；

固化所述光敏层；以及

通过所述囊装物材料将所述经重构晶圆单切以形成多个半导体装置，其中在所述多层材料的光敏层中形成用于所述多个半导体晶粒中的每一个的识别标记之后进行所述经重构晶圆的单切。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光敏层包含与所述非光敏层的第二颜色不同的第一颜色。

3.根据权利要求1所述的方法，其中用于将所述光敏层形成于所述晶圆上方的所述涂布机器进一步包括膜贴合机、旋转涂布机、帘涂布机、喷雾涂布机或槽模涂布机中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成具有特征大小的所述识别标记，所述特征大小在长度、宽度或两者方面小于或等于150微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

形成包括在10至60微米的范围内的厚度的所述光敏层；以及

在用于所述多个半导体晶粒中的每一个的所述多层材料的光敏层中形成具有在2至30微米的范围内的厚度的所述识别标记。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述光敏层的厚度小于或等于所述非光敏层的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

形成具有在295-305毫米的范围中的直径的所述晶圆；以及

针对包括在295-305毫米的范围中的直径的晶圆，以等于或大于25个晶圆/小时(WPH)的速率，在用于所述多个半导体晶粒中的每一个的所述多层材料的光敏层中形成所述识别标记。

8.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：

提供晶圆，其包括多个半导体晶粒，其中各半导体晶粒包括作用表面和与所述作用表面相对的背侧；

用涂布机器将多层材料形成于所述晶圆上和所述晶圆内的所述多个半导体晶粒中的每一个的背侧上方，所述多层材料包含非光敏层和光敏层；

在用于所述多个半导体晶粒中的每一个的所述多层材料的光敏层中形成识别标记，同时所述多层材料在所述晶圆上，用数字曝光机器和显影剂通过移除所述光敏层的部分来形成用于所述半导体晶粒中的每一个的识别标记，所述识别标记编码唯一产品信息；

固化所述光敏层；以及

在所述光敏层中形成所述识别标记之后，将所述晶圆单切成多个半导体装置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述晶圆是原生半导体晶圆，或经重构晶圆或经重构板材。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括形成具有特征大小的所述识别标记，所述特征大小在长度、宽度或两者方面小于或等于150微米。

11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将所述光敏层形成于所述晶圆内的所述多个半导体晶粒中的每一个的所述背侧上。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述光敏层包含与所述非光敏层的第二颜色不同的第一颜色。