[发明专利]标记半导体封装的方法

说明书

本发明公开了一种制作半导体装置的方法，该方法可包括提供晶圆，该晶圆包括多个半导体晶粒，其中各半导体晶粒包括作用表面和与该作用表面相对的背侧。可用涂布机器将光敏层形成于该晶圆上方和该晶圆内的该多个半导体晶粒中的每一个的背侧上。可用数字曝光机器和显影剂在用于该多个半导体晶粒中的每一个的光敏层内形成识别标记，其中该识别标记的厚度小于或等于该光敏层的厚度的50％。该光敏层可被固化。可将该晶圆单切成多个半导体装置。

相关申请案的交互参考

本专利申请主张于2014年8月26日申请的美国专利临时申请案第62/042,183号的权利，及进一步主张于2014年12月16日申请的美国专利临时申请案第62/092,322号的权利，此类案的全部揭露内容皆以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开整体涉及半导体装置及封装，且更具体而言，涉及使用封装级编序(package-level serialization)来识别、追踪或识别及追踪半导体封装及封装组件，诸如半导体晶粒。

背景技术

半导体装置常见于现代电子产品中。半导体装置具有不同的电组件数量及电组件密度。离散半导体装置一般含有一种类型电组件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、及功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。整合式半导体装置一般而言含有数百至数百万个电组件。整合式半导体装置的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合装置(CCD)、太阳能电池、及数字微镜装置(DMD)。

半导体装置执行各式各样功能，诸如信号处理、高速计算、传输及接收电磁信号、控制电子装置、将日光转变成电力、及建立用于电视显示器的视觉投影。在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机、及消费性产品领域中可见到半导体装置。军事应用、航空、汽车、工业控制器、及办公室设备中也可见到半导体装置。

半导体装置利用半导体材料的电性质。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基极电流(base current)或透过掺杂程序来操纵其导电性。掺杂引入杂质至半导体材料中以操纵及控制半导体装置的导电性。

半导体装置含有主动及被动电结构。主动结构(包括双极性及场效晶体管)控制电流的流动。通过改变掺杂的电平及一电场或基极电流施加的电平，晶体管促进或限制电流的流动。被动结构(包括电阻器、电容器、及电感器)建立执行各式各样电功能所必须的电压与电流之间的关系。被动结构及主动结构经电连接以形成电路，其使得能够半导体装置执行高速计算及其他实用的功能。

一般使用两个复杂的制造程序来制造半导体装置，即，前段制造及后段制造，各自可能涉及数百个步骤。前段制造涉及形成多个半导体晶粒于半导体晶圆的表面上。如本文中所使用，用语“半导体晶粒(semiconductor die)”系指彼字词的单数形及复数形两者，并且因此可指单一半导体装置及多个半导体装置两者。在原生晶圆处上的半导体晶粒的前段制造或产制期间，各半导体晶粒一般而言完全相同且含有通过电连接主动组件及被动组件所形成的电路。后段制造可涉及自晶圆成品(finished wafer)单切单个半导体晶粒及封装该晶粒以提供结构支撑及环境隔离。

可用识别符标记单个半导体晶粒及半导体封装，诸如通过印刷或雷射标记于半导体晶粒或半导体封装的背侧上，以识别、追踪或识别及追踪半导体晶粒及半导体封装。因此，可在前段制造程序、后段制造程序或两者中，在自原生半导体晶圆单切半导体晶粒之前，或单切及封装之后，进行半导体晶粒及封装的标记。

图1展示半导体封装2的实施方案，其包括标记或识别符4，如现有技术中已知。标记4通过印刷或雷射标记形成在该封装的外表面上，诸如在囊装物或模制复合物(moldingcompound)之中或之上。标记4可包括文字与数字字符、代码及其他符号或设计，其可包括用于识别封装2的取向的凹口5、可识别第一输入/输出(I/O)互连(诸如接针或其他I/O互连)的接针识别符、点或圆6。标记4也可包括批次追踪(lot-trace)码、装置标记、标志、日期代码、晶圆厂地点、或其他所需信息中的一者或多者。