[发明专利]谐振器的制造方法在审
| 申请号： | 201580070969.9 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107112967A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 梅田圭一;山田宏;会田康弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;B81B3/00;B81C1/00;H03H9/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 制造 方法 | ||
1.一种谐振器的制造方法，其中，
包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，
所述Si氧化膜的厚度根据所述Si晶圆的杂质的掺杂量来设定，
所述杂质的掺杂量以所述Si晶圆的面内方向上的杂质的掺杂量的平均来确定。
2.根据权利要求1所述的谐振器的制造方法，其中，
还包括在所述Si晶圆的表面形成压电薄膜的步骤，
所述压电薄膜的厚度根据所述Si晶圆的所述杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定。
3.根据权利要求2所述的谐振器的制造方法，其中，
所述压电薄膜的厚度的分布基于所述杂质的掺杂量以及所述谐振器的弹性常数的温度系数来设定。
4.根据权利要求1所述的谐振器的制造方法，其中，
还包括在所述Si晶圆的表面形成谐振器构成薄膜的步骤，
所述谐振器构成薄膜的厚度根据所述Si晶圆的所述杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定。
5.根据权利要求4所述的谐振器的制造方法，其中，
所述谐振器构成薄膜的厚度的分布基于所述杂质的掺杂量以及所述谐振器的弹性常数的温度系数来设定。
6.根据权利要求4或5所述的谐振器的制造方法，其中，
所述谐振器构成薄膜是以下中的任意一个：形成在所述Si晶圆上的压电薄膜、以夹住所述压电薄膜的方式形成的上侧电极及下侧电极、形成于所述Si晶圆与所述下侧电极之间的附加薄膜层、以及形成于所述上侧电极的上方的附加薄膜层。
7.一种谐振器的制造方法，其中，
包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成压电薄膜的步骤，
所述压电薄膜的厚度根据所述Si晶圆的杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定。
8.一种晶圆体，具备：
Si晶圆，其处于简并状态；以及
压电薄膜，其形成于所述Si晶圆的表面，
所述压电薄膜具有根据所述Si晶圆的杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定的厚度。
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