[发明专利]谐振器的制造方法

说明书

本发明提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。

技术领域

本发明涉及谐振器的制造方法。

背景技术

在形成压电谐振器等谐振器之前，制造大量地掺杂有例如P(磷) 等n型掺杂剂即杂质的Si(硅)的结晶块。从该结晶块切出多个晶圆，并在晶圆上规定的多个划分区域形成谐振器。然后，沿着晶圆的各划分区域的轮廓切分各划分区域从而形成谐振装置。

Si的结晶块通过例如被称作CZ法(提拉法)的制造方法，通过使单晶的Si生长从而制造成近乎圆柱形状。具体而言，使大量地掺杂有例如P等n型掺杂剂的多晶的Si加热熔融，并向熔融的Si中浸入Si 棒，使Si棒边旋转边进行拉起，由此制造结晶块。

专利文献1：日本特开2010-028536号公报

已知在这样的结晶块中，结晶块的径向的外周侧的杂质的浓度比内周侧大，同时结晶块的拉起方向的底部侧的杂质的浓度比上部侧大。根据这样的杂质的浓度的分布，在结晶块中，形成随着从内周侧朝向外周侧电阻率下降的电阻率的分布，并且形成随着从上部侧朝向底部侧电阻率下降的电阻率的分布。

对于从具有这样的电阻率的分布的结晶块切出的多个晶圆，因杂质的浓度的分布，在各晶圆中电阻率出现偏差。在由这样的晶圆制造的谐振器中，因各晶圆的电阻率的偏差，在频率温度特性中产生偏差。然而，一直以来对这样的每个晶圆的电阻率的偏差没有任何应对措施。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况完成的，其目的在于提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。

本发明的一个方面所涉及的谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。

本发明的另一方面所涉及的谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成压电薄膜的步骤，压电薄膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定。

本发明的一个方面所涉及的晶圆体具备处于简并状态的Si晶圆以及形成于Si晶圆的表面的压电薄膜，压电薄膜具有根据Si晶圆的杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定的厚度。

根据本发明，能够提供一种有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。

附图说明

图1是示意性示出一个具体例子所涉及的压电谐振装置的外观的立体图。

图2是示意性示出一个具体例子所涉及的压电谐振装置的构造的分解立体图。

图3是沿着图2的3-3线的压电谐振器的剖面示意图。

图4是表示Si氧化膜的厚度与压电谐振器的频率温度特性范围之间的关系的图表。

图5是表示压电薄膜的厚度与压电谐振器的频率温度特性范围之间的关系的图表。

图6是表示杂质的掺杂量与压电谐振器的弹性常数一次温度系数之间的关系的图表。

图7是用于对一个具体例子所涉及的压电谐振装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图8是用于对一个具体例子所涉及的压电谐振装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图9是用于对一个具体例子所涉及的压电谐振装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图10是表示晶圆的电阻率与压电谐振器的频率温度特性范围之间的关系的图表。