[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光二极管有效
申请号: | 201580071172.0 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN107112435B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李柱永;金东显;金序炫 | 申请(专利权)人: | 康宁精密素材株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 有机 发光二极管 提取 基底 方法 以及 包括 | ||
1.一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,所述方法包括:
通过将包含第一金属氧化物的溶胶-凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二氧化物形成的多个散射颗粒混合来制备混合物;
使用所述混合物涂覆基体基底;
烧制涂覆基体基底的混合物,以在基体基底上形成基质层,所述基质层由第一金属氧化物形成,并且具有分散在其中的所述多个散射颗粒,
其中,由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数的差异,而在基质层中形成能够散射由有机发光二极管发射的光的裂纹,
其中,在制备混合物的步骤中,第一金属氧化物包括金红石TiO2,
其中,在烧制混合物之后,在基质层内形成多个不规则形状的孔隙,
其中,第二氧化物包括SiO2和第二金属氧化物中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在制备混合物的步骤中,将溶胶-凝胶溶液的浓度控制为1.0M或更大。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个孔隙的尺寸为从50nm至900nm的范围。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在制备混合物的步骤中,第二金属氧化物包括从TiO2、ZnO和SnO2构成的候选组中选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在制备混合物的步骤中,所述多个散射颗粒包括单折射率散射颗粒或多折射率散射颗粒。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在制备混合物的步骤中,所述多个散射颗粒包括单折射率散射颗粒和多折射率散射颗粒的混合物。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,多折射率散射颗粒分别包括核和围绕核的壳,壳具有与核的折射率不同的折射率。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在多折射率散射颗粒中,核包括空心部分,壳围绕核。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在使用混合物涂覆基体基底的步骤中,以等于或高于所述多个散射颗粒的厚度或者所述多个散射颗粒中的聚集的散射颗粒的总厚度的厚度将混合物施加到基体基底。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,在400℃至800℃的温度下烧制混合物。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,基体基底包括柔性基底。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,基体基底包括具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃片。
13.一种用于有机发光二极管的光提取基底,所述光提取基底包括:
基体基底;
基质层,设置在基体基底上并由第一金属氧化物形成;以及
多个散射颗粒,分散在基质层中,并由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二氧化物形成,
其中,基质层具有分散在其中的裂纹,所述裂纹散射由有机发光二极管发射的光;
其中,第一金属氧化物包括金红石TiO2;
其中,多个不规则形状的孔隙形成在基质层内;
其中,第二氧化物包括SiO2和第二金属氧化物中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的光提取基底,其中,所述第二金属氧化物包括从由TiO2、ZrO2、ZnO和SnO2构成的候选组中选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。
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