[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光二极管有效

专利信息
申请号: 201580071172.0 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN107112435B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 李柱永;金东显;金序炫 申请(专利权)人: 康宁精密素材株式会社
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;田野
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 用于 有机 发光二极管 提取 基底 方法 以及 包括
【说明书】:

发明涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管,更具体地,涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管,所述方法通过在基质层上形成可以引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹来使发射的光的路径复杂化或多样化,从而进一步改善有机发光二极管的光提取效率。为此,本发明中提供一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,所述方法包括:混合物制备步骤,通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二金属氧化物组成的多个散射颗粒混合来制备混合物;混合物涂覆步骤,在基体基底上涂覆混合物;混合物烧制步骤,烧制已经被涂覆的混合物,以在基体基底上形成基质层,所述基质层包括第一金属氧化物,并且多个散射颗粒分散在基质层的内部,其中,在混合物烧制步骤中,由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数(CTE)的差异,在基质层上形成能够引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹。

技术领域

本公开涉及制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基底的方法、用于OLED的光提取基底以及包括该光提取基底的OLED装置。更具体地,本公开涉及制造用于OLED的光提取基底的方法、用于OLED的光提取基底以及包括该光提取基底的OLED装置,其中,在基质层中形成使由OLED发射的光被散射的裂纹,以进一步使发射的光的路径复杂化或多样化,从而进一步改善OLED的光提取效率。

背景技术

通常,发光装置可以分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)装置以及具有由无机材料形成的发光层的无机发光装置。在OLED装置中,OLED是基于通过电子注入电极(阴极)注入的电子与通过空穴注入电极(阳极)注入的空穴的复合而在有机发光层中产生的激子的辐射衰减的自发光光源。OLED具有诸如低电压驱动、自发光、宽视角、高分辨率、自然色再现性和快速响应时间等一系列优点。

近来,已经积极地对OLED应用于便携式信息装置、照相机、钟表、手表、办公设备、用于车辆或类似的信息显示装置、电视(TV)、显示装置和照明系统等进行了研究。

为了改善这样的上述OLED装置的发光效率,需要改善形成发光层的材料的发光效率或光提取效率,即,提取由发光层产生的光的效率。

OLED装置的光提取效率取决于OLED层的折射率。在典型的OLED装置中,当以大于临界角的角度发射由发光层产生的光束时,光束可以在诸如用作阳极的透明电极层的较高折射率层与诸如玻璃基底的较低折射率层之间的界面处被全反射。因此这会降低光提取效率,从而降低OLED装置的整体发光效率,这是有问题的。

更详细地描述,由OLED产生的光中的仅大约20%从OLED装置发射,并且产生的光的大约80%由于由玻璃基底,阳极,由空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层组成的有机发光层的不同折射率引起的波导效应以及由玻璃基底和环境空气之间的折射率的差产生的全内反射而损失。这里,内部有机发光层的折射率在从1.7至1.8的范围,然而,通常在阳极中使用的氧化铟锡(ITO)的折射率为大约1.9。由于两层具有范围为200nm至400nm的明显低的厚度,并且用于玻璃基底的玻璃的折射率为大约1.5,从而在OLED装置内形成平面波导。计算出由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为大约45%。此外,由于玻璃基底的折射率为大约1.5,环境空气的折射率为1.0,所以当光离开玻璃基底的内部时,具有比临界角大的入射角的光束会被全反射并且被捕获在玻璃基底内部。被捕获的光的比例为大约35%。因此,仅可以从OLED装置发射所产生的光的大约20%。

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