[发明专利]度量方法、计算机产品和系统

说明书

一种方法包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值，以及分析不对称参数对于与目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。一种方法包括使用被目标衍射的辐射的测量参数来确定目标的结构不对称参数，以及基于对于与目标相关联的目标形成参数的变化最不敏感的结构不对称参数来确定目标的测量光束的属性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年11月26日提交的EP申请14195009.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于例如在通过光刻技术制造器件时可用的度量的方法、设备和计算机产品，并且涉及一种使用光刻技术制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上、通常至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在该情形下，通常替代地称作掩模或掩模板的图案化装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转移至衬底(例如硅晶片)上的目标位置(例如包括一个或若干裸片的一部分)上。图案的转移通常是经由成像至设置在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。

在光刻过程中(也即对器件或其他结构显影的过程，包括光刻曝光，其可以通常包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、刻蚀等)，期望频繁地对所产生结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量套刻、衬底的两层的对准精确度的专用工具。近期，已经研发了各种形式的散射仪以用于光刻领域。这些装置将辐射光束引导至目标上并且测量散射的辐射的一个或多个属性，例如作为波长的函数的在单个反射角度下的强度；作为反射角度的函数的在一个或多个波长下的强度；或者作为反射角度的函数的偏振，从而获得“频谱”，从该频谱可以确定目标的感兴趣属性。感兴趣属性的确定可以通过各种技术来执行：例如通过迭代方案(诸如严格耦合波形分析或有限元方法)的目标结构的重构；库搜索；以及主成分分析。

发明内容

器件制造商使用存在于衬底上的目标(标记)来对准衬底。对准传感器通过亚纳米重复性来测量标记的位置。制造商还使用目标的重叠周期性结构来测量例如产品上的套刻。这里，也可以实现亚纳米总测量不确定度(TMU)数。然而，目标的周期性结构的横向轮廓可能具有影响测量属性的不对称性或形状。度量设备和对准传感器对由例如像蚀刻、化学机械抛光(CMP)、沉积等的处理步骤引起的目标结构不对称性敏感。这种不对称性导致了几纳米量级的测量误差。这种效应可能开始占据位置和/或套刻预算，并且因此需要解决方案。

测量配方选择(例如，每个配方具有一个或多个不同波长和/或一个或多个照射偏振)可以使用诸如平均值工具诱导偏移(TIS)和/或TIS可变性(也称为TIS 3西格玛)来执行。但是，当参考层呈现不对称轮廓时存在问题。

目标的周期性结构的形状的不对称性通常会对测量的套刻、对准等产生影响。这种影响可以根据用于测量的照射设置而变化。

在没有对处理和成像之后的目标的周期性结构的形状的实际知识的情况下进行目标配方选择。此外，当前工艺的上下文不用于配方选择的决策。使用基于TIS和/或TMU的修饰语并不总是导致针对目标不对称性最鲁棒的测量配方。

期望提供一种使用目标的用于度量的方法和设备，其中可以提高生产量、灵活性和/或精度。此外，尽管本发明不限于此，但是如果这可以应用于可以用暗场技术读出的小目标结构，则将是非常有利的。