[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201580074020.6 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN107210332B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 河面英夫;田口晃一;王丸武志 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
基板;
形成于所述基板之上的第1及第2电路;
光耦合器,其形成于所述基板之上,具备发光二极管和受光元件,该发光二极管将从所述第1电路输入的电信号转换为光信号,该受光元件将所述光信号转换为电信号而输出至所述第2电路;以及
基板温度监视电路,其读取所述光耦合器的所述发光二极管的Vf电压值,从而对所述基板的温度进行监视;以及
电源电路,其形成于所述基板之上,将电压供给至所述第1及第2电路,
所述基板温度监视电路与监视到的所述基板的温度相应地对所述电源电路的输出电压值的温度波动进行校正。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述电源电路具备铝电解电容器,
所述基板温度监视电路通过根据监视到的所述基板的温度对所述铝电解电容器的热履历进行积累,从而对所述铝电解电容器的寿命进行预测。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述基板温度监视电路在预测出的所述铝电解电容器的寿命达到寿命标准时输出错误信号。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述光耦合器具备多个光耦合器,
所述基板温度监视电路读取所述多个光耦合器各自的所述发光二极管的Vf电压值、进行平均化,从而对所述基板的温度进行监视。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
具备恒流电路作为所述发光二极管的驱动电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的