[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201580074020.6 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN107210332B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 河面英夫;田口晃一;王丸武志 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
在基板(1)之上形成有:第1及第2电路(2,3);光耦合器(4);以及基板温度监视电路(5)。光耦合器(4)具备一次侧发光二极管(6)和受光元件(7),该一次侧发光二极管(6)将从第1电路(2)输入的电信号转换为光信号,该受光元件(7)将该光信号转换为电信号而输出至第2电路(3)。基板温度监视电路(5)通过读取光耦合器(4)的一次侧发光二极管(6)的Vf电压值,从而对基板(1)的温度进行监视。
技术领域
本发明涉及无需对部件进行追加就能够对基板的温度进行监视的半导体装置。
背景技术
半导体装置的控制系统要求高精度化、高功能化、高密度化,需要以低成本实现。即使在控制系统之中各种传感功能的高精度化也是为了实现半导体装置的高效率化的重要课题。作为高精度化阻碍要因之一,举出电子部件的因温度特性引起的性能波动,需要采取对策。
此外,光耦合器是通常出于在对逻辑部和半导体元件之间进行绝缘的同时,对双方的信号进行传递的目的而使用的电子部件。提出了通过光耦合器的发光二极管对光耦合器自身的异常发热进行检测的技术(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2007-201169号公报
发明内容
为了对电子部件的因温度特性引起的传感功能的性能波动进行抑制,需要对基板的温度进行监视、反馈。如果为此使用热电偶、热敏电阻对基板温度进行监视,则存在部件个数、成本增加的问题。
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于得到一种无需对部件进行追加就能够对基板的温度进行监视的半导体装置。
本发明涉及的半导体装置,其特征在于,具备:基板;形成于所述基板之上的第1及第2电路;光耦合器,其形成于所述基板之上,具备发光二极管和受光元件,该发光二极管将从所述第1电路输入的电信号转换为光信号,该受光元件将所述光信号转换为电信号而输出至所述第2电路;以及基板温度监视电路,其读取所述光耦合器的所述发光二极管的Vf电压值,从而对所述基板的温度进行监视。
发明的效果
在本发明中,基板温度监视电路读取光耦合器的发光二极管的Vf电压值,从而对基板的温度进行监视。由此,无需对热电偶、热敏电阻等部件进行追加就能够对基板的温度进行监视。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的图。
图2是表示光耦合器的发光二极管的Vf电压特性的图。
图3是表示本发明的实施方式2涉及的半导体装置的图。
图4是表示本发明的实施方式3涉及的半导体装置的图。
图5是表示本发明的实施方式4涉及的半导体装置的图。
图6是表示本发明的实施方式5涉及的半导体装置的图。
图7是表示本发明的实施方式6涉及的半导体装置的图。
图8是表示铝电解电容器的寿命曲线的图。
图9是表示本发明的实施方式7涉及的半导体装置的图。
图10是表示本发明的实施方式8涉及的半导体装置的图。
具体实施方式
参照附图,对本发明的实施方式涉及的半导体装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号,有时省略重复的说明。
实施方式1.
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的