[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201580075408.8 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107360730B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 平松孝浩;织田容征 | 申请（专利权）人： | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，具备：
(a)制作具有一个主面以及另一个主面的硅基板的步骤；
(b)将包含金属元素的溶液雾化的步骤；
(c)通过在非真空下将所述雾化后的所述溶液对所述硅基板的一个主面进行喷雾，从而将由金属氧化膜构成的钝化膜成膜在所述硅基板的一个主面上的步骤；
(d)使用形成了所述钝化膜的所述硅基板来制作太阳能电池构造的步骤；以及
(e)进行对所述钝化膜与所述硅基板的界面照射给定的光的光照射处理，使所述太阳能电池构造的寿命提高的步骤，
所述步骤(d)包括：
(d-1)在所述硅基板的一个主面侧以及另一个主面侧形成一方电极以及另一方电极的步骤，所述步骤(d-1)包括以给定的烧成温度进行烧成的烧成处理，
所述步骤(e)在所述步骤(d)之后执行，
所述步骤(e)中的所述给定的光包含：光子能量为1.1eV以上的光、具有AM1.5的模拟太阳光、以及具有365nm的波长的紫外光之中的任一种光。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述金属元素是铝，
所述金属氧化膜是氧化铝。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述硅基板是构成材料的晶体硅具有P型的导电性的硅基板。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述步骤(e)中的所述紫外光的照射时间为1秒以上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，
所述步骤(d-1)中的所述给定的烧成温度为500℃以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝三菱电机产业系统株式会社，未经东芝三菱电机产业系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580075408.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：太阳能电池元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
