[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

半导体柱，沿第1方向延伸；

第1电极，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；

第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；

第1绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极的所述第1方向两侧；

第2绝缘膜，设置在所述第2电极与所述第1绝缘膜之间、及所述第2电极的所述第1方向两侧；

第3绝缘膜，设置在所述第2电极与所述半导体柱之间；

导电膜，设置在夹于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间的区域内，且包含金属硅化物；及

包含硅的硅层，设置在所述第2绝缘膜的所述第1方向两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述导电膜实质上未设置在所述第1电极的所述第1方向两侧及所述第2电极的所述第1方向两侧。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述导电膜包含钛氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：还具备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜的所述第1方向两侧，且与所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜相接。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：所述导电膜与所述层间绝缘膜相接。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述硅层与所述第3绝缘膜之间形成着气隙。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述硅层包含选自由锗、硼、磷、砷及锑组成的群组中的1种以上的物质。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述导电膜包含选自由锗、硼、磷、砷及锑组成的群组中的1种以上的物质。

9.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于具备如下步骤：

使层间绝缘膜与第1膜沿着第1方向交替地积层；

形成沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸且贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜的沟槽；

通过经由所述沟槽去除所述第1膜的一部分，而在所述沟槽的侧面形成第1凹部；

在所述第1凹部的内面上形成组成与所述层间绝缘膜的组成不同的第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜上形成第2电极膜；

在所述沟槽的内面上形成第3绝缘膜；

在所述第3绝缘膜的侧面上形成半导体膜；

沿着所述第2方向，将所述半导体膜、所述第3绝缘膜、所述第2电极膜及所述第2绝缘膜分断；

将组成与所述第2绝缘膜的组成不同的绝缘部件埋入至所述沟槽内；

形成沿所述第2方向延伸且贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜的狭缝；

通过经由所述狭缝去除所述第1膜，而在所述狭缝的侧面形成第2凹部，且在该第2凹部的里面露出所述第2绝缘膜及所述绝缘部件；

在所述狭缝及所述第2凹部的内面中的、除所述第2绝缘膜的露出面以外的区域，形成沉积阻碍层；

通过经由所述狭缝及所述第2凹部实施使用原料气体的气相成膜法，而在所述第2绝缘膜的露出面上形成导电膜；

在所述第2凹部的内面上形成第1绝缘膜；及

在所述第2凹部内形成第1电极。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：所述沉积阻碍层包含硅烷基。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：

所述层间绝缘膜及所述绝缘部件包含硅氧化物，且

所述第2绝缘膜包含硅氮化物。

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：所述气相成膜法为化学气相沉积法或原子层沉积法。