[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

说明书

实施方式的半导体存储装置包括：半导体柱，沿第1方向延伸；第1电极，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极的所述第1方向两侧；第2绝缘膜，设置在所述第2电极与所述第1绝缘膜之间、及所述第2电极的所述第1方向两侧；第3绝缘膜，设置在所述第2电极与所述半导体柱之间；及导电膜，设置在夹于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间的区域内。

技术领域

实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。

背景技术

以往，NAND(Not AND，与非)闪速存储器通过平面构造的微细化而增加集成度，从而降低位成本，但平面构造的微细化正逐渐接近于极限。因此，近年来，提出将存储单元在上下方向积层的技术。然而，关于这种积层型存储装置，制造的容易性及制品的可靠性成为课题。

背景技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-182949号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

实施方式的目的在于提供一种容易制造且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。

[解决问题的技术手段]

实施方式的半导体存储装置包括：半导体柱，沿第1方向延伸；第1电极，沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极的所述第1方向两侧；第2绝缘膜，设置在所述第2电极与所述第1绝缘膜之间、及所述第2电极的所述第1方向两侧；第3绝缘膜，设置在所述第2电极与所述半导体柱之间；及导电膜，设置在夹于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间的区域内。

实施方式的半导体存储装置的制造方法包括如下步骤：使层间绝缘膜与第1膜沿着第1方向交替地积层；形成沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸且贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜的沟槽；通过经由所述沟槽去除所述第1膜的一部分，而在所述沟槽的侧面形成第1凹部；在所述第1凹部的内面上形成组成与所述层间绝缘膜的组成不同的第2绝缘膜；在所述第2绝缘膜上形成第2电极膜；在所述沟槽的内面上形成第3绝缘膜；在所述第3绝缘膜的侧面上形成半导体膜；沿着所述第2方向，将所述半导体膜、所述第3绝缘膜、所述第2电极膜及所述第2绝缘膜分断；将组成与所述第2绝缘膜的组成不同的绝缘部件埋入至所述沟槽内；形成沿所述第2方向延伸且贯通所述层间绝缘膜及所述第1膜的狭缝；通过经由所述狭缝去除所述第1膜，而在所述狭缝的侧面形成第2凹部，且在该第2凹部的里面露出所述第2绝缘膜及所述绝缘部件；在所述狭缝及所述第2凹部的内面中的、除所述第2绝缘膜的露出面以外的区域，形成沉积阻碍层；通过经由所述狭缝及所述第2凹部实施使用原料气体的气相成膜法，而在所述第2绝缘膜的露出面上形成导电膜；在所述第2凹部的内面上形成第1绝缘膜；及在所述第2凹部内形成第1电极。