[发明专利]制作半导体X射线检测器的方法

权利要求书

1.一种制作适合于检测x射线的装置的方法，所述方法包括：

获得衬底，其具有第一表面和第二表面，其中所述衬底包括所述衬底中或所述衬底上的电子系统，其中所述衬底包括所述第一表面上的多个电触点；

获得第一晶片，其包括第一X射线吸收层，其中所述第一X射线吸收层包括电极；

使所述第一晶片接合到所述衬底，使得所述第一X射线吸收层的电极电连接到所述多个电触点中的至少一个；以及

获得第二晶片，其包括第二X射线吸收层，其中所述第二X射线吸收层包括电极；以及

使所述第二晶片接合到所述衬底，使得所述第二X射线吸收层的电极电连接到所述多个电触点中的至少一个。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将背衬衬底安装到所述第一晶片，使得所述第一晶片夹在所述背衬衬底与所述衬底之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片与所述第二晶片之间的间隙小于100微米。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的面积要小于所述衬底。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数之间的比率是二或以上。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一X射线吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一X射线吸收层与铬掺杂。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一X射线吸收层具有200微米或更少的厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括所述第二表面上的再分布层RDL。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括通孔，其中所述通孔从所述第一表面延伸到所述第二表面。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述电子系统包括：

第一电压比较器，其配置成将所述电极的电压与第一阈值比较；

第二电压比较器，其配置成将所述电压与第二阈值比较；

计数器，其配置成记录到达所述第一X射线吸收层的X射线光子的数目；

控制器；

其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟；

其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动第二电压比较器；

其中所述控制器配置成如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第二阈值的绝对值则促使所述计数器记录的数目增加一。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述电子系统进一步包括电容器模组，其电连接到所述第一X射线吸收层的电极，其中所述电容器模组配置成收集来自所述第一X射线吸收层的电极的载流子。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述控制器配置成在所述时间延迟开始或终止时启动所述第二电压比较器。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述电子系统进一步包括电压表，其中所述控制器配置成在所述时间延迟终止时促使所述电压表测量电压。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述控制器配置成基于在所述时间延迟终止时测量的电压值来确定X射线光子能量。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述控制器配置成使所述第一X射线吸收层的电极连接到电接地。

17.如权利要求11所述的方法，其中在所述时间延迟终止时电压的时间变化小于0.1％/ns。