[发明专利]具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件

权利要求书

1.一种IC封装，其特征在于，所述IC封装包括：

封装基片；

第一IC晶片，所述第一IC晶片在它的顶面上具有多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触，所述第一互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面，所述第一IC晶片具有第一边侧表面和与所述第一边侧表面背对的第二边侧表面，所述第一IC晶片的第一边侧表面和第二边侧表面远离所述封装基片的顶面延伸；

第二IC晶片，所述第二IC晶片在它的顶面上具有所述多个互连中的第二互连和所述多个晶片间接触中的第二晶片间接触，所述第二互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面，所述第二IC晶片具有第三边侧表面和与所述第三边侧表面背对的第四边侧表面，所述第二IC晶片的第三边侧表面和第四边侧表面远离所述封装基片的顶面延伸，所述第一IC晶片的第二边侧表面与所述第二IC晶片的第三边侧表面彼此面对；

桥接模块，被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，所述桥接模块的背面是与所述封装基片分隔开的，并且没有延伸超出所述多个互连的高度，所述桥接模块包括：

在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触；以及

被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，其被配置成在所述第一IC晶片和所述第二IC晶片之间传送信号；

被布置在所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述桥接模块的背面中的每一个与所述封装基片的顶面之间的底部填充剂；以及

封装所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述桥接模块的模塑料，其中所述模塑料接触所述底部填充剂的第一界面被布置在所述第一IC晶片的顶面和所述封装基片的顶面之间，并且所述模塑料接触所述底部填充剂的第二界面被布置在所述第二IC晶片的顶面和所述封装基片的顶面之间，其中所述模塑料封装所述第一IC晶片的第一边侧表面、所述第一IC晶片的第二边侧表面、所述第二IC晶片的第三边侧表面和所述第二IC晶片的第四边侧表面中的每个的至少各自一部分。

2.根据权利要求1所述的IC封装，其特征在于，所述模塑料被布置在所述桥接模块与所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一个之间，并被结合到所述桥接模块以及所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一个。

3.根据权利要求1所述的IC封装，其特征在于，其中所述桥接模块包括半导体基片，所述半导体基片包括有源电路。

4.根据权利要求1所述的IC封装，其特征在于，其中所述桥接模块包括陶瓷的、有机的、或半导体基片。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的IC封装，其特征在于，所述封装基片包括在其背面上的多个互连。

6.一种制造半导体组件的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成承载基片，所述承载基片具有多个空腔和被布置在其上的释放层；

将桥接模块放置在所述空腔中的一个空腔中，所述桥接模块包括在它的顶面上的桥接互连，和被布置在它的顶面上的一个或多个导电互连层；

将第一IC晶片放置在所述承载基片上，以使得它的第一互连被布置在所述空腔中的多个空腔中；

将第二IC晶片放置在所述承载基片上，以使得它的第二互连被布置在所述空腔中的多个空腔中；

将所述桥接互连耦接到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片的晶片间接触；

通过释放所述释放层，将包括所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述桥接模块的半导体组件与所述承载基片分离开；

将所述半导体组件安装在封装基片上，以使得所述第一IC晶片的第一互连和所述第二IC晶片的第二互连电气地和机械地耦接到所述封装基片的顶面；以及

将底部填充剂布置在所述第一IC晶片、所述第二IC晶片和所述桥接模块的背面中的每一个与所述封装基片的顶面之间；

其中所述桥接模块的背面是与所述封装基片分隔开的，并且没有延伸超出所述第一互连与所述第二互连的高度。