[发明专利]具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件

说明书

在一个例子中，半导体组件包括第一IC晶片(104A)、第二IC晶片(104B)、和桥接模块(110)。第一IC晶片在它的顶面上包括多个互连中(108)的第一互连(108A)和多个晶片间接触中(608)的第一晶片间接触(608A)。第二IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第二互连(108B)和多个晶片间接触中的第二晶片间接触(608B)。桥接模块被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，并且在它的顶面上包括桥接互连(112)，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到多个晶片间接触，和被布置在它的顶面上的导电互连层(706)，用来在第一IC与第二IC之间传送信号。桥接模块的背面(710)没有延伸超出多个连接线的高度。

技术领域

本公开内容的例子总体上涉及半导体器件，具体涉及具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件。

背景技术

集成电路(IC)架构已经发展到把许多不同功能合并在单个封装中，其中每个功能由单独的IC晶片或芯片尺度的封装(CSP)执行。这样的架构有时被称为系统级封装(SiP)。一种类型的SiP结构涉及把多个IC晶片(die)安装到中介层(interposer)，所述中介层又被安装到封装基片。所述中介层包括穿过晶片的通孔(TDV)，也被称为穿过硅的通孔(TSV)，它们连接在中介层的上表面与下表面上的金属化层。金属化层被用来在多个IC晶片之间以及在多个IC晶片的每个IC晶片与封装基片之间输送电信号。这种类型的SiP架构有时被称为2.5维(2.5D)封装。然而，因为必须设计、制造、和测试单独的中介层，为SiP封装使用2.5D架构将大大地增加花费。

发明内容

描述了一种用于提供具有用于晶片到晶片互连的桥接模块的半导体组件的技术。在一个例子中，半导体组件包括第一IC晶片、第二IC晶片、和桥接模块。第一IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触。第二IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第二互连和多个晶片间接触中的第二晶片间接触。桥接模块被布置在第一互连和第二互连之间。桥接模块包括被布置在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接模块包括在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触；以及被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，用来在所述第一IC与所述第二IC之间传送信号。所述桥接模块的背面没有延伸超出所述多个互连的高度。

可选地，半导体组件还可以包括环氧树脂，所述环氧树脂将所述第一IC晶片结合到所述第二IC晶片，以及将所述桥接模块结合到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一个IC晶片。

可选地，半导体组件还可以包括封装所述第一IC晶片、所述第二晶片和所述桥接模块的模塑料。

可选地，桥接模块可以包括陶瓷的、有机的、或半导体基片。

可选地，桥接模块可以包括半导体基片，所述半导体基片包括有源电路。

在另一个例子中，IC封装包括封装基片、第一IC晶片、第二IC晶片、和桥接模块。所述第一IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触，所述第一互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面。所述第二IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第二互连和多个晶片间接触中的第二晶片间接触，所述第二互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面。所述桥接模块被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，所述桥接模块的背面是与所述封装基片间隔开的。所述桥接模块包括在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触，以及被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，用来在所述第一IC和所述第二IC之间传送信号。

可选地，IC封装还可以包括环氧树脂，所述环氧树脂将所述第一IC晶片结合到所述第二IC晶片，以及将所述桥接模块结合到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一个IC晶片。

可选地，IC封装还可以包括还封装所述第一IC晶片、所述第二晶片和所述桥接模块的模塑料。