[发明专利]保护电路及保护电路系统

权利要求书

1.一种保护电路，其具有：

电力用的第一MOSFET，主电流流过该第一MOSFET；

IGBT，其与所述第一MOSFET并联连接，且来自所述主电流的分流流过该IGBT；

检测用电阻，其与所述IGBT串联连接；以及

第一控制电路，其基于施加至所述检测用电阻的电压值，对所述第一MOSFET的栅极电压进行控制，

流过所述IGBT的所述分流的电流值相对于流过所述第一MOSFET的所述主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其中，

所述第一控制电路还与所述第一MOSFET的栅极电压独立地对所述IGBT的栅极电压进行控制。

3.根据权利要求2所述的保护电路，其中，

所述第一控制电路，

在将所述IGBT的栅极电压控制为高电平后，将所述第一MOSFET的栅极电压控制为高电平，

在将所述第一MOSFET的栅极电压控制为低电平后，将所述IGBT的栅极电压控制为低电平。

4.根据权利要求2所述的保护电路，其中，

所述第一控制电路，

在将所述第一MOSFET的栅极电压控制为高电平后，将所述IGBT的栅极电压控制为高电平，

在将所述IGBT的栅极电压控制为低电平后，将所述第一MOSFET的栅极电压控制为低电平。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的保护电路，其中，

还具有：

第二MOSFET，其与所述第一MOSFET串联连接；以及

第二控制电路，其对所述第二MOSFET的栅极电压进行控制，

所述IGBT被组装于所述第二控制电路。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的保护电路，其中，

所述第一MOSFET使用了碳化硅。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的保护电路，其中，

还具有电容器，该电容器与所述第一MOSFET并联连接。

8.一种保护电路系统，其具有：

电力用的多个第一MOSFET，主电流流过它们；

单一的第一IGBT，其与多个所述第一MOSFET并联连接，且来自所述主电流的分流流过该第一IGBT；

第一检测用电阻，其与所述第一IGBT串联连接；

第一控制电路，其基于施加至所述第一检测用电阻的电压值，对各所述第一MOSFET的栅极电压进行控制；

第二MOSFET，其与各所述第一MOSFET串联连接；以及

单一的第二控制电路，其对各所述第二MOSFET的栅极电压进行控制，

所述第一IGBT被组装于所述第二控制电路，

流过所述第一IGBT的所述分流的电流值相对于流过各所述第一MOSFET的所述主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。

9.根据权利要求8所述的保护电路系统，其中，

还具有：

电力用的第三MOSFET，其相对于多个所述第一MOSFET及与它们相对应的所述第二MOSFET并联连接；

第二IGBT，其与所述第三MOSFET并联连接；

第二检测用电阻，其与所述第二IGBT串联连接；

第三控制电路，其基于施加至所述第二检测用电阻的电压值，对所述第三MOSFET的栅极电压进行控制；以及

电容器，其与所述第三MOSFET并联连接，

流过所述第二IGBT的所述分流的电流值相对于流过所述第三MOSFET的所述主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。