[发明专利]具有严格控制的多个鳍状物高度的FINFET的集成方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成器件的鳍状物，每个所述鳍状物包括布置在第一活性层和第二活性层之间的牺牲层；

用电介质材料代替所述牺牲层，以形成完全围绕所述第一活性层和所述第二活性层的所述电介质材料；

移除所述电介质材料的一部分以暴露所述第二活性层，并且选择性地移除额外量的所述电介质材料以暴露所述第一活性层中的一个或多个；以及

在所述鳍状物的沟道上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括电介质材料和栅极电极，

其中形成所述栅极叠层包括：在所述第一活性层中的所述一个或多个和所述第二活性层的相对的侧表面上并且在所述第二活性层的上表面上形成所述栅极叠层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层是第二牺牲层，并且在形成所述鳍状物之前，所述方法包括在所述衬底上形成第一牺牲层以及在所述第一牺牲层上形成所述第一活性层。

3.如权利要求2所述的方法，其中用电介质材料代替所述牺牲层包括用所述电介质材料代替所述第一牺牲层和所述第二牺牲层两者。

4.如权利要求2所述的方法，还包括在所述沟道的相对侧上形成所述器件的结。

5.如权利要求4所述的方法，其中形成结包括暴露在指定结区中的所述第一牺牲层以及将结材料引入到所述结区内。

6.如权利要求2所述的方法，其中在用电介质材料代替所述牺牲层之前，所述方法包括暴露在栅极电极区中的所述第一活性层和所述第二活性层。

7.如权利要求6所述的方法，其中在暴露所述第一活性层和所述第二活性层之后，所述方法包括将所述电介质材料沉积在所述栅极电极区中。

8.如权利要求6所述的方法，其中在形成所述栅极叠层之前，暴露所述第二活性层或者所述第一活性层和所述第二活性层，并且形成所述栅极叠层包括在所暴露的所述第二活性层或者所述第一活性层和所述第二活性层上形成所述栅极叠层。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上的器件的栅极电极区中形成非平面鳍状物，每个所述鳍状物包括布置在第一活性层和第二活性层之间的电介质材料，并且所述电介质材料完全围绕所述第一活性层中的一个或多个；以及

在所述第一活性层和所述第二活性层中的至少一个上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括电介质材料和栅极电极，

其中形成所述栅极叠层包括：在所述第一活性层中的所述一个或多个和所述第二活性层的相对的侧表面上并且在所述第二活性层的上表面上形成所述栅极叠层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述鳍状物包括形成第一活性层，在所述第一活性层上形成牺牲材料以及在所述牺牲材料上形成第二活性层，以及用所述电介质材料代替所述牺牲材料。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述牺牲材料包括第二牺牲材料，并且形成所述鳍状物包括在第一牺牲材料上形成所述鳍状物，并且其中代替所述牺牲材料包括代替所述第一牺牲材料和所述第二牺牲材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在形成所述鳍状物之前，所述方法还包括在所述鳍状物的沟道的相对侧上形成所述器件的结。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成结包括暴露在指定结区中的所述第一牺牲材料以及将结材料引入到所述结区内。

14.如权利要求10-12中的任一项所述的方法，其中在用所述电介质材料代替所述牺牲材料之前，所述方法包括暴露在栅极电极区中的所述第一活性层和所述第二活性层。